Величина - заряд
Cтраница 1
Величина заряда пропорциональна действующему на кристалл усилию и поэтому может служить мерой последнего. [1]
 |
Эквипотенциальные поверхности поля бесконечной заряженной оси. [2] |
Величина заряда на единицу длины оси пусть равна г [ к / м ]; вдали от концов оси величину т можно считать практически постоянной. [3]
Величина заряда, возникающего при протекании диэлектрических жидкостей по трубам, зависит не только от вида продукта и материала, из которого сделан трубопровод, но в значительной степени и от скорости протекания. [4]
Величина заряда должна быть достаточно малой, чтобы не вызвать перераспределения электричества. Во избежание явлений неэлектростатического характера перемещать заряд нужно очень медленно. [5]
Величина заряда может быть определена из сравнения с экспериментом. [6]
Величина заряда зависит от мощности ВВ, крепости пород, количества плоскостей обнажения, а также от тщательности заряжания шпуров. Величину заряда определяют на основании опытных данных. Затем определяют количество кубометров, которое должно быть отбито в результате взрывания всех шпуров. Перемножив одно на другое, получают общую величину заряда. [7]
Величина заряда, измеряемая в различных инерциальных системах отсчета, оказывается одинаковой. Следовательно, электрический заряд является релятивистски инвариантным. Отсюда вытекает, что величина заряда не зависит от того, движется этот заряд или покоится. [8]
 |
Эквипотенциальные поверхности поля бесконечной заряженной оси. [9] |
Величина заряда на единицу длины оси пусть равна т к / м; вдали от концов оси величину т можно считать практически постоянной. [10]
Величина заряда зависит от электропроводности волокна, влажности воздуха и других факторов. [11]
Величина заряда равна произведению емкости конд ( сатора и приложенного к нему напряжения. [12]
Величина зарядов составляла 0 7 - 2 3 - 10 - 9 Кл / см, Поведение зарядов во времени описано в гл. [13]
Величина зарядов уменьшается сначала быстро, затем более медленно. [14]
 |
Схема ЗЭ ППЗУ с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым светом ( а и структура р-канального транзистора МДП-типа с плавающим затвором ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4