Величина - пространственный заряд
Cтраница 1
Величина пространственного заряда в МОП-структуре существенно зависит от металла, из которого изготовлен затвор. Кроме того, величина наведенного заряда зависит от вида воздействующей радиации и типа диэлектрической пленки. [1]
Действительно, величина пространственного заряда становится тогда настолько значительной, что кривая распределения потенциала приобретает минимум в точке, находящейся между двумя электродами ( рис. 7 - 4, а), называемой виртуальным катодом. В этом случае виртуальный катод, а не анодный потенциал, влияет на отбор электронов, достигающих анода. С момента появления виртуального катода анодный / ток начинает расти менее быстро, чем до этого времени. Ни один из эмиттиро-ванных электронов при этом не возвращается на катод. [2]
Так как f / min зависит от величины пространственного заряда и его распределения между электродами, то можно сказать, что анодный ток в этих случаях ограничивается пространственным зарядом. Соответствующая часть характеристики называется участком ограничения пространственным зарядом или, короче, участком пространственного заряда. Участок пространственного заряда почти всегда является рабочим участком характеристики, и для практики он наиболее интересен. [3]
Свойства разряда определяются главным образом величиной напряженности поля в точке возникновения разряда и не зависят от величины пространственного заряда. [4]
Помимо указанных только что факторов, на длительность импульса оказывают влияние фокусирующие свойства катодной области фотоумножителя и величина пространственного заряда, образующегося У последних эмиттеров и анода при прохождении импульса. В фотоумножителях с большими фотокатодами различие времени прихода фотоэлектронов, одновременно возникших на фотокатоде, к первому Эмиттеру может быть довольно большим и заметно скажется на растягивании импульса во времени. [5]
Пространственный заряд сильно уменьшает эффективность термоэлектронных преобразователей, поэтому одной из основных задач при создании ТЭП является всемерное снижение величины пространственного заряда. Это достигается или за счет уменьшения величины зазора между катодом и анодом ( в экспериментальных установках зазор иногда уменьшают до 0 1 мм, что, однако, создает трудности в процессе сборки и эксплуатации ТЭП), или за счет изменения схемы преобразователя ( устройство так называемого термоионного преобразователя, в ко - тором пространственный заряд компенсируется посторонними ионами цезия) Следует подчеркнуть, что эффективные методы борьбы с пространственным зарядом до настоящего времени не разработаны. [6]
В вакуумных электронных лампах результирующее значение электрического поля вблизи катода обусловливается не только напряжениями на аноде и сетке, но также и ( величиной пространственного заряда. [7]
 |
Зависимость коэффициента усиления М и интегральной чувствительности - от величины напряжения питания для фотоумножителя с электростатической фокусировкой. [8] |
Как видно из рисунка, анодная характеристика достигает насыщения при тем большем анодном напряжении, чем больше воздействующий на фотоумножитель световой поток и соответственно анодный ток фотоумножителя. Чем больше световой поток, тем больше величина пространственного заряда в анодной области фотоумножителя, тем больше и анодное напряжение, необходимое для насыщения. [9]
Для получения вольтамперной характеристики темного разряда мы должны учесть наличие пространственного заряда, под действием которого меняется напряженность поля в газовом промежутке. Таким способом величина тока заряженных частиц, которая определяет величину пространственного заряда, влияет на величину потенциала между электродами. [10]
Полупроводниковый диод является инерционным элементом по отношению к быстрым изменениям тока или напряжения, поскольку новое распределение носителей устанавливается не сразу. Как известно, внешнее напряжение меняет ширину перехода ( см. § 2 - 2 и 2 - 3), а значит, и величину пространственных зарядов в переходе. Кроме того, при инжекции ( или экстракции) меняются заряды в области базы. Следовательно, наряду с проводимостью, которая в первом приближении характеризуется выражением ( 2 - 33), диод обладает емкостью, которую можно считать подключенной параллельно р-п переходу. Эту емкость принято разделять на две составляющие: барьерную емкость, отражающую перераспределение зарядов в переходе, и диффузионную емкость, отражающую перераспределение зарядов в базе. Такое разделение в общем весьма условно, но удобно на практике, тем более что соотношение обеих емкостей различно при разных полярностях смещения. При прямом смещении главную роль играют заряды в базе и соответственно диффузионная емкость. При обратном смещении ( режим экстракции) заряды в базе меняются мало и главную роль играет барьерная емкость. [11]
 |
Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [12] |
Полупроводниковый диод является инерционным элементом по отношению к быстрым изменениям тока или напряжения, поскольку новое распределение носителей устанавливается не сразу. Как известно, внешнее напряжение меняет ширину перехода ( см. § 2 - 2 и 2 - 3), а значит, и величину пространственных зарядов в переходе. [13]
Поэтому максимальная величина / будет достигаться тогда, когда приблизится к максимуму заряд Q. Величина Q не может быть сделана больше, чем Q / - суммарный фиксированный заряд в пространстве между эмиттером и коллектором, иначе ток / будет ограничен величиной пространственного заряда, как это имеет место в вакуумных лампах, и базовый электрод не сможет осуществлять управляющее действие. [14]
Из физических соображений можно ожидать, что при сильном освещении разность потенциалов между поверхностью и объемом будет очень мала; в этом случае имеется непрерывный приток дырок и электронов и величина объемного пространственного заряда становится очень чувствительной к точному значению потенциала поверхности. [15]
Страницы: 1 2