Величина - коэффициент - вторичная эмиссия
Cтраница 1
Величина коэффициента вторичной эмиссии зависит от свойств эмиттера, а также от скорости и направления первичных электронов. [1]
Величина коэффициента вторичной эмиссии зависит также от скорости первичных электронов. При больших скоростях первичные электроны глубоко проникают в толщу металла, и поэтому вторичные электроны не могут вылететь из него, так как на своем пути к поверхности они теряют энергию при столкновении с другими электронами. [2]
От величины коэффициента вторичной эмиссии зависит потенциал экрана. На поверхности экрана скапливаются электроны, и его потенциал при любых ускоряющих напряжениях в интервале О - U a2 стремится к потенциалу катода, принятому за нуль, и свечение прекращается. Этот потенциал называют первым критическим потенциалом. [3]
При дальнейшем увеличении энергии первичных электронов величина коэффициента вторичной эмиссии начинает падать. Kd рано или поздно становится меньше единицы и допускает возможность нового накопления отрицательных зарядов на экране. Потенциал экрана стремится при этом удержать постоянное значение по отношению к катоду и начинает отставать от потенциала второго анода. С этого момента разница между ними изменяется почти линейно с ростом ускоряющего напряжения. [4]
Работа фотоумножителя в существенной мере определяется величиной коэффициента вторичной эмиссии, под которым понимают отношение числа выбитых из динода электронов к числу электронов, падающих на динод. [5]
Яркость экрана при переменной энергии возбуждающего луча косвенно зависит от величины коэффициента вторичной эмиссии Ка и в соответствии с этим должна раздельно рассматриваться в трех областях рабочих условий с различными значениями Ка - Первая из них охватывает напряжения от нуля до 180 - 200V, когда коэффициент вторичной эмиссии KdL Вторая соответствует области обычнол работы электроннолучевых тру - Сок ( 0 5 - 10kV), когда / Cdl. [6]
 |
Зависимость коэффициента вторичной эмиссии а от скорости первичных электронов при различных значениях угла падения. [7] |
Такой характер зависимости типичен почти для всех твердых тел. Как видно на этих кривых, величина коэффициента вторичной эмиссии при увеличении ускоряющего напряжения ( энергии первичных электронов) сначала растет и, достигнув максимума, начинает снижаться. Такой ход зависимости а / ( Uj) объясняется тем, что при увеличении энергии первичных электронов они возбуждают большее количество электронов в эмиттере, что должно увеличивать коэффициент вторичной эмиссии. Одновременно с увеличением энергии первичных электронов растет глубина их проникновения в эмиттер. При этом происходит возбуждение электронов на большом расстоянии от поверхности, и возбужденные электроны на пути к поверхности теряют значительную часть энергии, полученной от первичных электронов, что снижает вероятность выхода. При ускоряющем напряжении, соответствующем омакс, второй процесс оказывается преобладающим, в результате чего при дальнейшем увеличении энергии первичных электронов коэффициент вторичной эмиссии снижается. [8]
Для начала предположим, что потенциал сигнальной пластины остается постоянным и электронный луч неподвижным. Величина коэффициента вторичной эмиссии зависит от энергии первичных электронов и от свойств мишени. Большинство диэлектриков, как было указано в гл. При ускоряющих напряжениях, меньших первого критического потенциала 0 1, затем коэффициент вторичной эмиссии достигает максимального значения и начинает уменьшаться с ростом энергии первичных электронов. При величине энергии, соответствующей ( Укр 2, коэффициент вторичной эмиссии снова становится меньшим единицы. [9]
 |
Характеристики анодного и сеточного токов в области положительных сеточных напряжений.| Влияние динатронного эффекта на распределение токов в триаде. [10] |
На распределение токов между положительными сеткой и анодом, кроме характера электрического поля в лампе, большое влияние оказывают явления, связанные с вторичной электронной эмиссией, возникающей на электродах, воспринимающих ток. Уже при потенциалах электродов порядка нескольких вольт коэффициент вторичной эмиссии поверхности может иметь значительную величину, достигающую нескольких десятых долей. При потенциалах порядка десятков вольт величина коэффициента вторичной эмиссии может быть близкой к единице и даже большей единицы. [11]
Поэтому любые изменения пространственного заряда или электрического поля, приводящие к вариации дрейфовой скорости, влияют на анодный ток. Коэффициент вторичной эмиссии определяется энергией столкновения, которая, в свою очередь, зависит от величины как ВЧ-поля, так и постоянного поля на катоде. Взаимодействие между этими двумя факторами приводит к сильным колебаниям величины по в том случае, когда плотность заряда приближается к величине критической плотности рс, а величина коэффициента вторичной эмиссии стремится к нулю. [12]
С течением времени свойства металлических поверхностей ионизационной камеры изменяются вследствие образования различных пленок и напылений. Кроме того, при каждом пуске установки происходит постепенное обезгаживание электродов ионного источника, в связи с чем изменяется коэффициент вторичной эмиссии. Дополнительное влияние на нестабильность ионного тока может возникнуть благодаря действию стабилизатора эмиссии. Вторичные электроны, попадающие вместе с первичными на анод, искажают величину анодного тока. Если стабилизатор эмиссии стабилизирует ток анода, то при изменении величины коэффициента вторичной эмиссии ( Т будет меняться температура катода, поскольку стабилизатор будет стремиться поддержать анодный ток неизменным. Вследствие этого целесообразно стабилизировать общий ток катода. [13]
Страницы: 1