Величина - упругий модуль
Cтраница 1
Величина упругих модулей определяется межатомными взаимодействиями и потому коррелирует с энергией связи U, необходимой для разделения твердого тела на отд. При увеличении темп-ры Т модули упругости монотонно убывают, изменение модуля в интервале от О К до Тил составляет ок. [1]
 |
Частотные зависимости механических модулей. [2] |
Другая часть энергии, затрачиваемой на деформирование, определяется величиной упругого модуля. Эта часть энергии запасается в материале и возвращается в виде энергии упругих колебаний. [3]
 |
Частотные зависимости механических модулей. [4] |
Другая часть энергии, затрачиваемой на деформирование, определяется величиной упругого модуля. Эта часть энергии запасается в материале и возвращается в виде энергии упругих колебаний. [5]
 |
Частотные зависимости механических модулей. [6] |
Другая часть энергии, затрачиваемой на деформирование, определяется величиной упругого модуля. Эта часть энергии запасается в материале и возвращается в виде энергии упругих колебаний. [7]
По интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в кристалле измеряют скорости распространения упругих волн, анизотропию и величину упругих модулей кристалла, спектр упругих колебаний и тепловые характеристики кристалла. [8]
 |
Модули нормальной упругости ( Е, сдвига ( G и объемные мо-дулп ( К металлов больших периодов. [9] |
Упругие модули возрастают от I к VI - VIII группам по мере увеличения электронной концентрации, а затем с уменьшением ее при переходе к металлам I, II групп величина упругого модуля падает. [10]
Следует отметить, что определение статического модуля по ГОСТу позволило закрепить величину и скорость приложения нагрузки, что является весьма важным при сопоставлении экспериментальных результатов, а также при практическом использовании величин упругих модулей при расчете, проектировании и исследовании конструкций и изделий из стеклопластика. [11]
 |
Коэффициенты термического расширения переходных металлов.| Сжимаемость металлов. [12] |
Упругие модули возрастают от щелочных металлов к высоковалентным металлам VIII группы по мере увеличения электронной концентрации, а затем с уменьшением числа коллективизированных электронов до 1 эл / атом при переходе к металлам I группы величина упругого модуля падает. [13]
Напряжения, создаваемые одной прямолинейной дислокацией ( и действующие на другую дислокацию), убывают обратно пропорционально расстоянию от нее. Поэтому напряжение, создаваемое в точке х дислокацией, находящейся в точке х, имеет вид bDI ( x - х, где D - постоянная порядка величины упругих модулей кристалла. [14]
Напряжения, создаваемые одной прямолинейной дислокацией ( и действующие на другую дислокацию), убывают обратно пропорционально расстоянию от нее. Поэтому напряжение, создаваемое в точке х дислокацией, находящейся в точке х, имеет вид bDl ( x - х), где D - постоянная порядка величины упругих модулей кристалла. [15]
Страницы: 1 2