Cтраница 1
Величина рассеиваемой мощности таких резисторов обычно невелика. [1]
Величину рассеиваемой мощности Р вычисляют, исходя из наиболее тяжелых условий работы, чтобы определяемая величина Р была наибольшей. [2]
Эта величина рассеиваемой мощности значительно меньше 12 Вт, требуемых при тех же условиях от выходного каскада, работающего в режиме класса В. [3]
Однако величина рассеиваемой мощности в импульсе может быть больше среднего ее значения при условии, что среднее значение сохраняется в пределах допустимой величины Рмакс. [4]
![]() |
Кривые зависимости величины сопротивления от угла поворота оси. А - ли-нейная, Б - логарифмическая, В-показательная. [5] |
По величине рассеиваемой мощности переменные сопрфтивления изготовляются в пределах от 0 5 до 2 вт. [6]
По величине рассеиваемой мощности для транзистора наиболее экономичен режим переключения, или ключевой режим, когда транзистор длительно находится в состоянии насыщения ( точка /) или отсечки ( точка 2), быстро переходя из одного состояния в другое. Режим переключения транзистора широко применяется в различных схемах импульсного регулирования мощности и управления статическими преобразователями. В режиме усиления ( точка 3) рассеиваемая транзистором мощность, как правило, сравнима с мощностью, отдаваемой в нагрузку. При этом необходимо следить за тем, чтобы рассеиваемая мощность не превысила допустимую величину Р к макс и чтобы транзистор не перегревался. [7]
Характер зависимости величины рассеиваемой мощности Ра при дипольно-релаксационных потерях в жидком диэлектрике от частоты представлен на рис. 3 - 6 верхней кривой. Потери возрастают с частотой до тех пор, пока поляризация успевает следовать за изменением поля. [8]
При заданной входной мощности величина рассеиваемой мощности определяется положением рабочей точки на нагрузочной диаграмме. [9]
В связано с необходимостью снижения величины рассеиваемой мощности. Растущая тактовая частота и усложнение структуры процессоров приводят к тому, что рассеиваемая ими мощность достигает нескольких ватт. Для современных процессоров уже обязательно применение вентиляторов на корпусе процессора. [10]
Величина диэлектрических потерь обычно характеризуется величиной рассеиваемой мощности, отнесенной к единице объема. Большей частью для характеристики потерь в диэлектрике пользуются углом диэлектрических потерь б, а также тангенсом этого угла. Углом диэлектрических потерь называется угол, дополняющий до 90 угол сдвига фаз q между током и напряжением, приложенным к конденсатору с рассматриваемым диэлектриком. При идеальном диэлектрике вектор тока в такой цепи будет опережать вектор напряжения на угол 90, при этом угол б будет равен нулю. [11]
Величина диэлектрических потерь обычно характеризуется величиной рассеиваемой мощности, отнесенной к единице объема. Большей частью для характеристики потерь в диэлектрике пользуются углом диэлектрических потерь 8, а также тангенсом этого угла. Углом диэлектрических потерь называется угол, дополняющий до 90 угол сдвига фаз ф между током и напряжением, приложенным к конденсатору с рассматриваемым диэлектриком. При идеальном диэлектрике вектор тока в такой цепи будет опережать вектор напряжения на угол 90, при этом угол б будет равен нулю. [12]
![]() |
Конструкция пленочных резисторов. [13] |
Геометрическое построение резистора определяется величиной сопротивления и величиной рассеиваемой мощности. [14]
Величину диэлектрических потерь в электроизоляционном материале можно характеризовать величиной рассеиваемой мощности, отнесенной к единице объема, или удельными потерями; чаще для характеристики способности диэлектрика рассеивать энергию в электрическом поле пользуются углом диэлектрических потерь, а также тангенсом этого угла. [15]