Величина - приложенное напряжение
Cтраница 1
Величина приложенного напряжения связана прямо пропорционально с количеством осажденного вещества. Небольшие электропроводности применяемых водных растворов пленкообразователей позволяют осаждать покрытия при высоких напряжениях. [1]
Величина приложенных напряжений при данной температуре определяет механизм зарождения и развития повреждений. При высоких напряжениях межзеренное разрушение происходит путем зарождения и роста клиновидных трещин, которые появляются на стыке трех зерен и распространяются по границам. Поэтому присутствие в структуре разрушенных деталей клиновидных трещин свидетельствует о высоком уровне напряжений, приближающемся к границе между областями а и б на карте механизмов ползучести и разрушения. [2]
Величина приложенного напряжения практически не оказывает влияния на количество электронов, переходящих из области в область. [3]
 |
Модель зоны пластической деформации у вершины трещины ( Макклинток - Ирвин. [4] |
Если величина приложенного напряжения близка к пределу текучести материала ( S 0 6 SY), то пластическая деформация будет идти в большом объеме у вершины трещины и линейная механика разрушения, в частности, уравнения (2.1.20) и (2.1.21), оказывается неприменимой. Тогда используют нелинейную механику разрушения, учитывающую общую пластическую деформацию разрушающегося тела. Разрушение в таких условиях типично для многих металлических конструкционных материалов. [5]
Влияние величины приложенного напряжения При превращении е - - у явление сверхпластичности суммируется с объемным эффектом, обусловленным разностью удельных объемов е - и у-фаз, а при у - - е-переходе вычитается. Истинная деформация представляет собой разницу между остаточной деформацией и объемным эффектом превращения эталонного образца. Чем больше величина приложенных напряжений, тем сильнее выражен эффект сверхпластичности и выше температура его проявления. [6]
Изменяя величину приложенного напряжения в пределах от 0 до 1 3 б через 0 1 в, определяют каждый раз ток, проходящий через диод, по шкале 0 - - 20 ма. [7]
 |
Эффект поля в МДП-структуре.| Структура металл - диэлектрик - полупроводник. [8] |
Изменяя величину приложенного напряжения, изменяют концентрацию носителей заряда в обогащенном слое и тем самым - величину поверхностной электропроводности. [9]
Выбирают величину приложенного напряжения, которое должно находиться в области предельного тока титруемого вещества ( Td) или ( и) титранта ( Тг) ( разд. В зависимости от вольтамперной характеристики веществ, участвующих в реакции при титровании Td Тг - R, получаются различные кривые титрования. Эти зависимости приведены на рис. 4.22. Аналогичные зависимости получаются и для анодных вольтамперных кривых. Представленные кривые титрования идеализированы. Экспериментальная кривая титрования переходили идеализированную, если константа равновесия протекающей химической реакции приближается к бесконечности Практически точкой эквивалентности является точка пересечения продолженных прямолинейных участков кривой титрования. Возможны случаи когда на кривой титрования вообще кет прямолинейных ветвей - причиной этого ( при достаточной величине константы равновесия химической реакции) - является. [10]
Большое значение имеет величина приложенного напряжения. Для каждого полиэтилена существует предельное напряжение, ниже которого разрушение в данном агенте при данной температуре в течение конечного времени не происхо-д ИТ2о, zs, за, 69, si, 104 Абсолютное значение этого напряжения зависит от типа полиэтилена и среды, а также от метода испытания26, особенно в тех случаях, когда при испытании изменяется характер напряженного состояния. [11]
Большое значение имеет величина приложенного напряжения. Для каждого полиэтилена существует предельное напряжение, ниже которого разрушение в данном агенте при данной температуре в течение конечного времени не происхо - ДИТ20, 28, за, 69, si, 104 Абсолютное значение этого напряжения зависит от типа полиэтилена и среды, а также от метода испытания26, особенно в тех случаях, когда при испытании изменяется характер напряженного состояния. [12]
В большинстве случаев величина приложенного напряжения ограничивается тепловым рассеиванием энергии в полупроводниковом элементе, поэтому коэффициент передачи магниторезистора можно определить как отношение мощности, рассеиваемой в нагрузке, к мощности, приложенной к магниторезистору в нулевом поле. [13]
 |
Зависимость тока от на - междУ электродами 1 еж при напря-пряжения для газа. женностях поля около 0 006 в /. [14] |
По мере возрастания величины приложенного напряжения ионы уносятся к электродам, не успевая рекомбинироваться, и при некотором напряжении все ионы, создаваемые в газовом промежутке, будут разряжаться на электродах. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5