Величина - пороговое напряжение
Cтраница 3
С помощью критерия ( 13) сравнивают разрушающие нагрузки. Если различие можно считать не случайным, то по формуле ( 12) рассчитывают величину пороговых напряжений. Если различие незначимо, то можно считать R М, пороговые напряжения ниже приемлемого уровня. [31]
Влияние радиации на МОП-транзистор в основном определяется следующим фактором. При действии радиационного излучения на МОП-структуру в окисле образуется положительный пространственный заряд, который вызывает изменение величины порогового напряжения. При подаче положительного смещения на металл в результате действия электрического поля вблизи поверхности полупроводника скапливается положительный заряд, величина которого зависит от напряжения, приложенного к затвору в период облучения. Образование пространственного заряда прекращается, когда поле в области затвора уменьшается. Поскольку в микрорежиме напряженность поля в окисле невелика, можно полагать, что описанный эффект при работе МОП-транзистора в области малых токов будет ослаблен. [32]
Метод определения длительной прочности материала в сероводородсодержащих средах может быть упрощен с помощью использования экспериментальных данных об испытании образцов. Так, при выборе сталей для трубопроводов, эксплуатируемых в сероводородсодержащих средах, одним из основных критериев пригодности металла является величина порогового напряжения. Сталь, выдержавшая испытания в среде НАСЕ [51] в течение 720 ч при постоянной нагрузке ( равной, как правило, 0 8а02), считается пригодной для изготовления трубопроводов, по которым транспортируются сероводородсодержащие среды. [33]
Метод определения длительной прочности материала в се-роводородсодержащих средах может быть упрощен с помощью использования экспериментальных данных об испытании образцов. Так, при выборе сталей для трубопроводов, эксплуатируемых в сероводородсодержащих средах, одним из основных критериев пригодности металла является величина порогового напряжения. Сталь, выдержавшая испытания в среде NACE [51] в течение 720 ч при постоянной нагрузке ( равной, как правило, 0 8а0 2), считается пригодной для изготовления трубопроводов, по которым транспортируются сероводород содержащие среды. [34]
Возможность введения в кремний легирующих примесей в широком диапазоне концентраций и с более точной дозировкой, чем в процессе диффузии позволяет регулировать величину порогового напряжения в пределах от - 1 до - 4В, получать оптимальную с точки зрения быстродействия и потребляемой мощности величину сопротивления канала, а также создавать на одном кристалле МДП-транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. [35]
Другим фактором, существенно влияющим на быстродействие МДП-микросхем, является величина порогового напряжения на затворе. Основные работы в области повышения быстродействия МДП-ИМС направлены в первую очередь на снижение паразитных емкостей МДП-структур, а также на уменьшение длины канала и величины порогового напряжения. Последнее позволяет снизить напряжение питания схемы и тем самым уменьшить потребляемую мощность. [36]
В свою очередь наименьшая толщина кристаллов полупроводника для генераторов Ганна ограничивается технологическими трудностями. Так, при использовании традиционных методов изготовления тонких пластинок из арсенида галлия ( шлифовки, полировки и травления) удается получить генераторы Ганна с 1 2 мкм, величиной порогового напряжения 1 в и с частотой генерации порядка 30 Ггц. Однако такой метод производства генераторов Ганна очень малой длины чрезвычайно труден и слишком трудоемок. [37]
 |
КМОП-структура с биполярными р-карманами. 1-р-карман. 2 - п-эпитаксиальный слой. 3 - п. скрытый слой.| Основная структура МОП-транзистора с n - каналом ( р-каналом. 1 - затвор из поликремния. [38] |
Кроме того, в последние годы активно разрабатываются К. Основные конструкции п - и р-канальных МОП ИС с самосовмещением, с кремниевым затвором, изготовленные методом локального окисления ( рис. 5.6), показаны на рис. 5.17. Для управления величиной порогового напряжения Ут использован метод ионной имплантации. Как видно из рис. 5.18, известны три основных метода взаимной изоляции элементов, применяемые в п - и р-канальных МОП полевых транзисторов. В случае использования МОП-схем с элементами, сформированными в n - карманах и р-карманах, например в периферийных цепях запоминающих устройств соответствующие ячейки памяти разделяются на п - и р-канальные соответственно. На основе общих соображений невозможно сказать, какие из них лучше. [39]
Ограничители мгновенных значений сигнала могут строиться на схемах с диодами ( см. § 19.3), ВАХ которых ( см. рис. 12.1, а) может быть также аппроксимирована отрезками прямых. В этих схемах сигнал проходит на выход, если диод закрыт. Меняя величину пороговых напряжений, можно осуществлять ограничение на разных уровнях. [40]
Ограничители мгновенных значений сигнала могут строиться на схемах с диодами ( см. § 19.3), ВАХ которых ( см. рис. 12.1, и) может быть также аппроксимирована отрезками прямых. В этих схемах сигнал проходит на выход, если диод закрыт. Меняя величину пороговых напряжений, можно осуществлять ограничение на разных уровнях. [41]
 |
Зависимость интенсивности рассеянного света от напряжения. / - реальная. 2 - идеальная. [42] |
Достоинством схемы 1 / / 3 по сравнению со схемой ( 7 / 2 является увеличение разности напряжений между выбранным и полувыбранным элементом ( 2 / з в первом случае и / zU - во втором), что позволяет либо увеличить управляющее напряжение и сократить время переднего фронта отклика элемента, либо при неизменном напряжении отодвинуть ( в сторону уменьшения) полувыбранное напряжение от порогового и тем надежнее застраховать устройство от возникновения кросс-эффекта и от снижения контраста. Вторым достоинством схемы L / / 3 является одинаковое напряжение на всех полувыбранных элементах ( U / 3), что позволяет сознательно использовать существенное различие в электрооптических откликах жидкокристаллических ячеек на управляющие напряжения, изменяющиеся от исходного нулевого уровня до максимального значения и обратно или от некоторого ненулевого исходного уровня ( подпирающее напряжение) до максимального и обратно к подпирающему напряжению. Используется зависимость величины порогового напряжения эффекта ДРС от частоты. По этой схеме ( рис. 6.8, в) на выбираемые шины по одной координате ( X) постоянно подается синусоидальное напряжение высокой частоты ( ( 7В), подача которого прекращается на время выборки шины. [43]
Для создания кремниевых затворов применяют поликристаллический кремний / - типа, у которого работа выхода меньше, чем у алюминия, используемого в обычных МДП-ИМС. Это приводит к уменьшению разности работ выхода материала затвора и полупроводниковой подложки и, кроме того, к уменьшению заряда поверхностных состояний. Оба эти обстоятельства снижают величину порогового напряжения. [44]
В результате ( рис. 6.8, в) элемент, находящийся на перекрестье, окажется под напряжением UH, необходимым для срабатывания, элементы вдоль выбранной шины по У - под нулевым напряжением, а к остальным элементам будет приложена сумма напряжений-низкой и высокой частоты ( ( / и С / в), действие которой, как известно, такое же, как и действие одной высокой частоты, пороговое напряжение для которой велико. Таким образом, срабатывает лишь выбранный элемент, находящийся под напряжением Ua, тогда как на остальных элементах разность напряжений либо равна нулю ( вдоль выбранной шины У), либо приложено напряжение двух частот, порог срабатывания для которых значительно выше, чем на выбранном элементе. Схема позволяет существенно влиять на величины пороговых напряжений, но она весьма сложна с точки зрения электронного обеспечения: необходимо коммутировать синусоидальное напряжение разных частот. [45]
Страницы: 1 2 3 4