Величина - запирающее напряжение
Cтраница 3
 |
Принципиальная схема УПТ на транзисторах. [31] |
Для транзистора типа П-103 влияние на дрейф модулятора переходного процесса, возникающего при отпирании транзистора, пренебрежимо мало. Зато большое влияние на дрейф модулятора имеет переходный процесс, возникающий при запирании транзистора. Амплитуда этого переходного процесса зависит от величины запирающего напряжения, приложенного к транзистору, температуры окружающей среды, материала транзистора и других факторов. [32]
Напряжения на электроды трубки снимаются с делителя напряжения, подключенного к высоковольтному выпрямителю. Для большинства трубок на второй анод подается положительное относительно катода напряжение 800 - 3 000 в, а на первый ( фокусирующий) анод - от 0 2 до 0 5 указанной величины. Запирается трубка отрицательным относительно катода напряжением 30 - 90 в, причем величина запирающего напряжения возрастает с ростом напряжения на электроде, расположенном вблизи модулятора. Отклонение величины напряжения накала от номинальной резко снижает срок работы трубки. Катод ЭЛТ обычно находится под большим отрицательным потенциалом по отношению к земле. [33]
В наши дни трудно представить себе высокочувствительное устройство СВЧ диапазона без входного усилителя с малым коэффициентом шума. При глубоком охлаждении ( до температуры жидкого азота t - 196 С и ниже) перечисленные устройства приобретают весьма ценные свойства, основные из которых будут нами рассмотрены. В последние годы все более широкое применение находят параметрические усилители на полупроводниковых диодах, которые полезны, главным образом, благодаря малым шумам. С их появлением впервые оказалось возможным создать столь чувствительные приемные системы, что шумы антенны зачастую равны или превышают шумы приемника. Особенностью параметрического усилителя на полупроводниковом диоде является наличие изменяющейся во времени реактивности, которая представляет собой емкость р-п перехода закрытого отрицательным смещением диода. Следовательно, в ПУ отсутствует прямой ток, обусловленный инжекцией носителей зарядов через область р-п перехода, а обратный ток у хороших диодов столь мал, что им можно пренебречь. Поэтому единственным источником шумов в ПУ является тепловое движение носителей зарядов в объемном сопротивлении кристалла диода Rs, которое у хороших диодов имеет величину порядка 1 - 5 Ом. На рис. 6.1 изображена зависимость емкости р-п перехода от величины запирающего напряжения. [34]
Страницы: 1 2 3