Cтраница 3
Величина напряженности электрического поля поляризации зависит от геометрических размеров образца и зазоров между образцом и электродами ( рис. 8.4 а), а также от диэлектрической проницаемости образца и зазора. Для увеличения электрического поля в зазорах помещают диэлектрические прокладки. [31]
Величина напряженности окружающего электростатического поля колеблется, как правило, от нескольких милливольт на метр в жилых районах или зонах предприятий легкой промышленности до нескольких вольт на метр в отдельных местах, например в зоне, перекрываемой радиолокаторным лучом. [32]
Величина напряженности электростатического поля катиона Екн в направлении соответствующей связи в месте, где находится протон, для Mg2 больше, чем для любого двухвалентного иона переходного металла. [33]
Величину напряженности в секторных кабелях вычисляют по этим же формулам, но она сильно зависит от степени закругления углов секторных жил. [34]
Величину напряженности Яцр древнего ГП определить гораздо сложнее, чем направление, поскольку значение намагниченности сохраняется хуже, чем ее направление. При определении ЯДр на основании ( 1) сравнивается величина Мп горной породы ( или одной из ее компонент) с искусственно созданными на том же материале величинами остаточных намагничонностей ( Mrt, MTO и др.) в известном магн. При этом считается, что величина и стабильность намагниченности не зависят от длительности ее образования. Ядр, многие из к-рых еще далеко не совершенны. Поэтому часто наблюдается несоответствие далеомагн. Наиб, достоверно установлены париации палео-напряженности с периодом ок. [35]
![]() |
К примеру расчета магнитной цепи. [36] |
Умножая величины напряженности на длину соответствующих участков, получаем произведения HI для этих участков. [37]
Выше величина напряженности электрического поля была определена как сила, действующая на единичный заряд. Но всякая сила определяется не только величиной но и направлением. Поэтому напряженность поля в некоторой точке изображают графически в виде направленного в сторону действия силы отрезка ( вектора), исходящего из этой точки. [38]
![]() |
Схема эксперимента с электронами, локализованными над поверхностью жидкого гелия. [39] |
Изменяя величину напряженности прижимающего электрического поля Е можно легко менять ns в широком интервале значений, от 105 до 109 см-2. При этом электронная подсистема при гелиевых температурах остается невырожденной, так как даже при ns 109 см-2 энергия Ферми мала, е / k тгЙ2гг8 / km 10 - 2 К. Изменяя Е и Т, можно в широких пределах, практически от 0 до 102 и более, менять параметр неидеальности двумерной электронной системы, 7 7T1 / 2e2ns / kT, перекрывая области идеального газа, электронной жидкости и вигнеровского кристалла. [40]
![]() |
Линии напряженности поля бесконечной плоскости.| К подсчету напряженности поля бесконечной плоскости. [41] |
Определим величину напряженности в точке А, применяя теорему Остроградского - Гаусса. [42]
![]() |
Диффузионный триод.| Схема конструкции диффузионного триода. [43] |
Определим величину напряженности электрического поля в диффузионном триоде с экспоненциальным распределением примесей в области базы. [44]
На величину напряженности электрического поля оказывают сильное влияние геометрические размеры дополнительного кольца и расположение его по отношению к коронирующему электроду. [45]