Величина - пересыщение
Cтраница 4
Аналогично может быть осуществлен и расчет программы изменения температуры с целью стабилизации величины пересыщения в системе. [46]
При наличии вторичной нуклеации число возникающих новых центров кристаллизации зависит не только от величины пересыщения раствора, но и от общего числа кристаллов в растворе, от их распределения по размерам, от относительной скорости движения кристаллов и поверхностей в аппарате, от величины этих поверхностей и от их геометрии. Экспериментальное определение зависимости вторичной нуклеации от такого рода многочисленных факторов, разумеется, представляет собой сложную задачу. [47]
Незначительные изменения температуры пересыщенных растворов при их движении по неизолированным трубопроводам приводят к изменению величины пересыщения раствора, что оказывает влияние на течение технологического процесса. [48]
 |
Кинетика изменения im в процессе растворения p - C2S ( а и C3S ( 6. [49] |
Таким образом, у вяжущих веществ с гидролизующимися ионами критерий реализации МР и способ вычисления величины действующего пересыщения являются существенно иными, чем у гипса. [50]
Чтобы установить возможность образования тумана в этом случае, необходимо знать критическое пересыщение пара и величину пересыщения, возникающего в процессе охлаждения обжигового газа в денитрационной башне. Если возникающее пересыщение пара будет превышать критическую величину, то это неизбежно приведет к конденсации паров в объеме и образованию тумана. [51]
Показано, что термодинамическое рассмотрение роста пленок, протекающего в заведомо неравновесных условиях, позволяет оценить величину действующего пересыщения в различных методах осаждения при изменении температуры источника и подложки, давления паров, переохлаждения, пересыщения и других параметров. Оцэнивается влияние внешних электрических и магнитных полей, поверхностной энергии границы подложка - зародыш. Применительно к стационарным условиям роста пленок оцениваются вероятности трехмерного и двумерного зародышеобразования и наследование ориентации подложки, скорость перемещения ступеней, изменение геометрии поверхности роста. Рассмотрение кинетики роста пленок проводится для лимитирующих движение ступеней и изломов поверхности диффузионных процессов или повехностных реакций. Показано, что изменение во времени эффективной скорости роста пленки на начальной стадии эпитаксии связано с изменением механизма роста и приводит к образованию переходной области между подложкой и пленкой. [52]
Страницы: 1 2 3 4