Величина - подвижность
Cтраница 1
Величина подвижности зависит от кристаллографической модификации и равна 0 1 - 160 см2 / в - сек. [1]
Величина подвижности, рассчитанная по уравнению ( 57) для вращения воды, получается значительно меньше величины, рассчитанной для любых других возможных стадий, и, следовательно, вызываемое полем вращение молекул воды в гидратных оболочках ионов Н3О при прохождении протонов через воду является стадией, определяющей скорость протонной электропроводности: собственно перенос протона в системе Н3О - Н2О может происходить с большой скоростью посредством квантовомеханического туннельного эффекта. [2]
Величина подвижности, наоборот, отражает структурную конфигурацию осадков. В частности, поликристаллический характер пирографитов объясняет понижение подвижности по сравнению с природными графитами. Дополнительные доказательства будут приведены в следующей главе. [3]
 |
Подвижность ионов при 18 С. [4] |
Величина подвижности находится в определенной связи с размерами и массой иона. [5]
Величина подвижности зависит от рода кристаллической решетки, химического состава полупроводников, концентрации примесей, температуры, а также числа и характера нарушений в кристаллической решетке, так как в местах дефектов решетки происходит рассеяние электронов - изменение скорости электронов по величине и направлению из-за столкновений носителей заряда с решеткой кристалла. [6]
Величина подвижности находится в определенной связи с размерами и массой иона. [7]
Величины подвижности и энергии границ могут зависеть от ориентации границы. [9]
Величина подвижности зависит от рода кристаллической решетки, химического состава полупроводника, от числа и характера нарушений в кристаллической решетке, так как в местах дефектов решетки происходит рассеяние электронов - изменение скорости электронов по величине и направлению из-за столкновений носителей тока с решеткой кристалла. [10]
Величина подвижности зависит от механизма рассеяния носителей заряда в полупроводнике, который определяется типом химической связи кристаллической решетки, наличием примеси и других кристаллических дефектов полупроводника. [11]
 |
Зависимость подвижности носителей тока ( ивсж2 / сек-е для переходных форм углерода от температуры их обработки. [12] |
Величина подвижности с повышением температуры обработки растет как для гомогенно графитирующегося материала ( кривая 1), так и для неграфитирующегося материала ( кривая 2), но характер изменения подвижности у них различный. [13]
Величина подвижности ионов должна быть известна, так как она используется для расчетов объемных зарядов и для определения времени запаздывания при пробое. [14]
Величины подвижности ионов для времени их жизни 25 - 30 мсек не являются установившимися и продолжают снижаться. [15]
Страницы: 1 2 3 4