Величина - подвижность - электрон
Cтраница 1
Величина подвижности электронов, вычисленная по приведенному выше уравнению, хорошо согласуется с величиной холловской подвижности электронов, рассчитанной по уравнению % Ra, где R - коэффициент Холла, а - электропроводность. Для Cd3As2 продольное магнетосопротивление ( Ар / р0) ц не только не равно нулю, но может превышать величину поперечного магнетосопротивления ( Ap / p0) j, что свидетельствует о сложной структуре изоэнергетических поверхностей этого соединения. [1]
Величина подвижности электронов зависит от строения кристалла и его состояния. [2]
Величина подвижности электронов, вычисленная по приведенному выше уравнению, хорошо согласуется с величиной холловской подвижности электронов, рассчитанной по уравнению [ % Ra, где R - коэффициент Холла, а - электропроводность. [3]
Чтобы определить величины подвижности электронов и дырок в относительно чистом алмазе, необходимо, облучив кристалл ультрафиолетовым светом, создать в нем некоторую концентрацию световых носителей тока. [4]
 |
Зависимость постоянной решетки а от содержания Si в твердом растворе Ое-Si.| Зависимость ширины запрещенной зоны Д. от содержания Si в твердом растворе. Qe-Si 137 ]. [5] |
В табл. 15 приводятся величины подвижности электронов в зависимости от состава сплава. [6]
Электрические свойства соединений III-V в ряде различных деталей отражают их отличия от полупроводников IV группы. В большинстве соединений III - V подвижность электронов значительно выше подвижности дырок, причем в InSb и InAs величина подвижности электронов может быть исключительно высокой. Ввиду этого гальвано-магнитные эффекты оказываются особенно интересными. Далее, поскольку связь в кристаллах соединений III-V имеет ионную компоненту, на перенос носителей заряда будет в некоторой степени влиять рассеяние полярными оптическими колебаниями. Так как существуют некоторые разногласия об относительной роли процессов рассеяния, ограничивающих подвижность носителей в соединениях III-V, мы начнем эту главу с обсуждения различных механизмов рассеяния. Затем мы рассмотрим поочередно для каждого соединения те сведения, которые можно получить из измерений коэффициента Холла и удельного сопротивления в зависимости от концентрации примесей и температуры. В последнем параграфе обсуждается маг-ниторезистивный эффект и зависимость коэффициента Холла от магнитного поля. [7]
Интересной особенностью твердых растворов этих соединений являются высокие подвижности электронов. В HgTe подвижность электронов при комнатной температуре достигает 11 800 сл12 / в-сек; даже в поликристаллическом образце состава 40 % HgSe-60 % HgTe величина подвижности электронов составляет 14 200 см 1в - сек, что является весьма высоким значением для смешанных кристаллов. [8]
В работе [376] при исследовании электрических свойств es авторы обнаружили, что в селениде галлия преобладает дырочная проводимость. Для объяснения факта неизменности знака постоянной Холла и дифференциальной термоэдс в интервале температур до 1000 К, где эти величины приближаются к нулю, авторы предположили, что подвижность дырок в селе-иде галлия больше, чем подвижность электронов. Это резко отличает исследованное вещество от его недефектных аналогов типа А3В5, где соотношение величин подвижностей электронов дырок всегда обратное. [9]
В работе [376] при исследовании электрических свойств 3а25ез авторы обнаружили, что в селениде галлия преобладает дырочная проводимость. Для объяснения факта неизменности знака постоянной Холла и дифференциальной термоэдс в интервале температур до 1000 К, где эти величины приближаются к нулю, авторы предположили, что подвижность дырок в селениде галлия больше, чем подвижность электронов. Это резко отличает исследованное вещество от его недефектных аналогов типа А3В5, где соотношение величин подвижностей электронов дырок всегда обратное. [10]
Если принять это значение за величину решеточной подвижности, то в принципе возможно вычислить зависимость подвижности электронов от концентрации ионизованных доноров, комбинируя полярный механизм рассеяния с примесным и электронно-дырочным. Никаких строгих расчетов до настоящего времени не было выполнено, результаты же упрощенного анализа [59] представлены на фиг. Там же приведены значения подвижности электронов в образцах р-типа. Как видно из фигуры, эти величины значительно ниже, чем величины подвижностей электронов в полупроводнике n - типа с такой же концентрацией примесей. Это подтверждает существенную роль электрон-дырочного рассеяния. [11]
Зависимость подвижности дырок от концентрации акцепторов при комнатной температуре изображена на фиг. Большинство этих данных можно получить только упомянутыми выше косвенными методами; однако соответствие между результатами различных авторов удовлетворительно. Наибольшее из достоверных значений подвижности равно 750 см2 / в сек; оно наблюдалось в образце с концентрацией примесей меньше 5 - 1014 CM Z. Сообщалось также и о более высоких значениях, но они обычно определялись путем экстраполяции данных, полученных при низких температурах. Гудвин [48], однако, привел для подвижности дырок значение 800 см2 / в сек, и, хотя в его опытах нет явной ошибки, все же тот факт, что он получил неверную величину подвижности электронов, означает, что его образцы в некотором отношении были несовершенны. [12]
Предположение о равенстве эффективных масс электронов и позитронов не выдерживает критики, поскольку энергии электронной поляризации, связанной с каждой частицей, различны. Электроны могут занимать состояния только в соответствии с принципом Паули, уменьшая таким образом устойчивость, связанную с доступностью увеличенной плотности состояний. Позитроны не связаны запретом Паули, поэтому для них возможна высокая плотность состояний, а значит, более высокая поляризуемость и более значительная эффективная масса. Таким образом, взаимодействие с решеткой усиливается, и в случае ковалентно связанных кристаллов образуется позитронное поляроноподобное состояние с эффективной массой, превышающей эффективную массу электрона примерно в пять - десять раз. В органических кристаллах химические примеси являются гораздо более эффективными ловушками для электронов, чем для позитронов, так что, если эффективная масса позитрона даже в десять раз превышает эффективную массу электрона, подвижность электрона все же будет меньше подвижности позитрона из-за преобладающего влияния ловушек на величину подвижности электрона. [13]
Фосфид индия, InP, химически очень активен и поэтому его трудно приготовить. Точка плавления InP гораздо выше, чем у InAs, и равна 1070 С. Ширина запрещенной зоны этого соединения при 0 К, определенная по зависимости эффекта Холла от температуры, равна 1 34 эв, а ширина, полученная экстраполяцией из оптических измерений, равна 1 42 эв. При комнатной температуре оптическая ширина запрещенной зоны равна 1 28 эв. Наибольшая из полученных до сих пор величина подвижности электронов при комнатной температуре равна 3 4 - 103 см / в-сек и 50 смг. [14]
Страницы: 1