Величина - поле
Cтраница 2
Величина поля трогания Ят определяет условную границ вышение которой приводит к появлению необратимых прс перемагничивания. [16]
Величина поля рассеивания погрешностей обработки изготовленной партии деталей может быть определена из практической кривой распределения. [17]
 |
Графики зависимости магнитной проницаемости от напряженности магнитного поля для различных структур стали ШХ15 ( а и усредненной зависимости при больших значениях напряженности поля ( б. [18] |
Величину поля выбирают такой, чтобы помехи, вносимые в сигнал датчика неравномерностью магнитной проницаемости, были бы меньше сигналов от дефектов. [19]
Величину тодмагничивающего поля при подобных измерениях подбирают такой, чтобы в интервале изменения ( АЯ) ход кривой / / ( Я) можно было бы считать прямолинейным. [20]
 |
Компоненты обратного тока в кремниевом ( а и германиевом ( б диодах. [21] |
Величину возникающего поля § 0 легко определить, используя уравнения ( 10 - 7) и ( 10 - 8) для плотностей дырочной и электронной составляющих тока. [22]
Поскольку величина поля для получения гелиевого изображения равна примерно 4 5 в / А, исследование объектов типа Си, Ni и Fe таким способом должно быть затруднено. В данном случае возможный выход из создавшегося положения заключается в том, чтобы, частично отказавшись от высокого разрешения в соответствии с уравнением ( 45), использовать для создания изображения газ с низким потенциалом ионизации, требующий более слабых полей. [23]
 |
Колебания векторов L и Л. при аитифррромагнит-ном резонансе в легкоплоскостном анти фор р омагнетн-кс си слабым ферромагнетизмом. а - низкочастотная мода, т. [24] |
Хотя величина магнитоупругого поля Я фф мала ( - 1 Э), его действие, усиленное иолом Нк, приводит к заметной щели в спектре А. [25]
Когда величина безразмерного поля достигает значения Р - ( 3 / 4) 3 / 4 - 0 105 эти значения сравниваются. [26]
 |
Зависимость пороговой напряженности электрического поля от напряжения смещения подложки для пленки, выращенной в плазме. Состав газовой смеси. 10 % СН, 1 % N2, 89 % Н2. [27] |
Уменьшение величины порогового автоэмиссионного поля связано с резким уменьшением концентрации х / - связей и слабым увеличением концентрации яр2 - связей в алмазной пленке. Следует заметить, что хотя определенное количество зр2 - связей требуется для проявления автоэмиссии из алмазной пленки, но этого совершенно недостаточно для появления автоэмиссии при низких пороговых полях. [28]
 |
Резонансная кривая для Li3.| Возникновение электрического дипольного момента ядра. а - электрический диполь. б - система с разнесенными центрами зарядов. [29] |
Зная величину поля Я2 и изменяя частоту / 4, можно по положению резонансного пика определить vnm, а следовательно, и гиромагнитное отношение ядра. Знание спина ядра позволяет определить магнитный момент. При полях Я2 в несколько тысяч эрстед частота / 4 попадает в микроволновой диапазон. [30]
Страницы: 1 2 3 4