Cтраница 2
При определении величины магнитного поля В необходимо принимать во внимание релятивистские кинематические эффекты. Перейдем в систему координат, движущуюся вместе с электроном вокруг протона. [16]
И определяет величину магнитного поля. [17]
Здесь В - величина магнитного поля, перпендикулярного плоскости двумерного электронного газа; h / e - квант потока; спиновое и долинное расщепление не учитываются. При заполнении целого числа уровней Ландау nL рассеяние отсутствует благодаря наличию щели между заполненным и пустым уровнями Ландау. В этом случае Диагональная компонента проводимости ахх равна нулю, а не диагональная, холловская компонента а Ne / B. Холловское сопротивление принимает такое характерное значение лишь при отсутствии в системе частично заполненных уровней Ландау, т.е. при несовпадении энергии Ферми с уровнями Ландау. [18]
![]() |
Спектр изотопов ртути, полученный масс-спектрометром типа МИ-1305. Цифры указывают массы изотопов. [19] |
При изменении либо величины магнитного поля ( при постоянном ускоряющем напряжении), либо величины напряжения ( при постоянном магнитном поле) на коллектор ионов поочередно направляются ионные пучки всех масс, принадлежащих исследуемому образцу. Ионные токи этих пучков, измеренные после соответствующего усиления, являются критерием содержания компонент в образце. [20]
Заметим, что величина магнитного поля, при котором наблюдается спад анодного тока, не должна зависеть от направления поля. В присутствии внешних полей, однако, величина критического поля в соленоиде зависит от направления тока. Эта зависимость, если она вообще имеется, особенно сильно проявляется при малых полях и должна быть экспериментально исследована. Студенту предлагается самому сообразить, как следует обрабатывать результаты, если влияние внешнего поля оказывается заметным. [21]
![]() |
Доменная структура в аморфных сгмавах с различной магнитострикцией ( данные получены методом Биттера. а - Fe80 РИ С, ( X 0.. б. [22] |
Здесь Яа - величина магнитного поля, которое необходимо приложить для уничтожения основных доменов1, Ms - намагниченность насыщения. Величина HaMs / 2 представляет собой энергию магнитной анизотропии, связанной с основными доменами. [23]
![]() |
Зависимость сопротивления излучения симметричного вибратора.| Структура поля у поверхности проводника. [24] |
Первый этап Определяем величину магнитного поля у поверхности провода. [25]
R-1 при такой величине магнитного поля Н, которая соответствует максимальной эффективности преобразования по суммарной частоте. Как и следовало ожидать из линейной теории, выходная мощность суммарной частоты линейно зависит от входных мощностей обеих частот. [26]
![]() |
Образование пульсирующего магнитного поля контуром с током. [27] |
Следовательно, направление и величина магнитного поля, образованного витком ( рис. 4 а), периодически изменяются. Такое магнитное поле называется пульсирующим. [28]
Характеристика может зависеть от величины магнитного поля источника ионов. [29]
Известны немногочисленные попытки измерения величины магнитного поля рассеяния [1, 2], показывающие, что у материалов с низкой коэрцитивной силой оно может изменяться в режиме остаточного намагничивания от десятых долей эрстеда до нескольких эрстед ( на грубых дефектах), у материалов с коэрцитивной силой 30 - 50 э - до нескольких десятков эрстед. [30]