Величина - предельный потенциал
Cтраница 1
 |
Зависимость предельного потенциала электрографической пластины от толщины селенового слоя. [1] |
Величина предельного потенциала в значительной мере зависит от толщины селенового слоя электрографической пластины. [2]
Величина предельного потенциала не зависит от электрической емкости железнодорожной цистерны относительно земли. [3]
Величина предельного потенциала у экранов трубок отличается от предельного потенциала применяемого люминофора, так как в образовании вторичной эмиссии участвует поверхность стекла экрана, а кроме того, вид характеристики вторичной эмиссии может изменяться в результате попадания на поверхность люминофора частиц поглотителя и различных загрязнений. Обычно величина предельного потенциала экрана в течение срока службы трубки снижается и яркость свечения постепенно уменьшается. [4]
Из величин анодных и катодных предельных потенциалов на платиновых электродах следует, что даже в нейтральных растворах присутствует некоторое количество уксусной кислоты. [5]
Сведения о величине анодного предельного потенциала отсутствуют. [6]
Помимо плотности тока, на величину предельного потенциала оказывает влияние температура экрана, степень дисперсности люминофора, его чистота и особенно состояние поверхности. Появление на поверхности экрана металлических пленок ( материал геттера, барий с катода, естественное старение поверхности) сильно повышает величину предельного потенциала. Это наглядно показывают кривые рис. 11 для соответственно свежей и длительно эксплоатировавшейся поверхности шеелитовсго экрана. Благоприятное влияние загрязненной поверхности, однако, весьма непрочно. Из-за нестабильности поверхностных слоев в условиях энергичной электронной бомбардировки оно не может быть использовано для устойчивой регулировки предельного потенциала экрана. [7]
Температура подложки при нанесении на нее селенового слоя существенно влияет как на величину предельного потенциала ( положительного и отрицательного), до которого может быть заряжена электрографическая пластина, так и на скорость ее темнового спада. Так, при температуре подложки 12 - 20 С получаются электрографические пластины, хорошо заряжающиеся до высокого отрицательного потенциала и хорошо удерживающие его. Положительные же потенциалы таких пластин невелики и очень быстро спадают. Пластины, напыленные при температуре подложек 55 - 70 С, плохо заряжаются, плохо держат отрицательный потенциал и хорошо - положительный. [8]
 |
Схема разностного интенсиметра с вычитанием заряда на интеграторе ( а, с вычитанием токов ( б и с дифференциальным включением триодов ( в ( триоды Т1 - П101, Т2 - П105. [9] |
Однако в разностных схемах появляются дополнительные ограничения, принуждающие не только не увеличивать, а еще более снижать величину предельного потенциала, и, следовательно, сопротивления утечки. [10]
Величина предельного потенциала у экранов трубок отличается от предельного потенциала применяемого люминофора, так как в образовании вторичной эмиссии участвует поверхность стекла экрана, а кроме того, вид характеристики вторичной эмиссии может изменяться в результате попадания на поверхность люминофора частиц поглотителя и различных загрязнений. Обычно величина предельного потенциала экрана в течение срока службы трубки снижается и яркость свечения постепенно уменьшается. [11]
Из величин анодных и катодных предельных потенциалов на платиновых электродах следует, что даже в нейтральных растворах присутствует некоторое количество уксусной кислоты. [12]
Чистота селена существенно сказывается на электрофизических свойствах электрографических пластин и, прежде всего, на электрическом сопротивлении ее селенового слоя, являющегося основным параметром электрографической пластины. Именно электрическое сопротивление селенового слоя определяет величину предельного потенциала, до которого может быть заряжена электрографическая пластина, а также время, в течение которого она способна удержать на себе этот заряд. Все это в конечном итоге определяет контраст электрографического изображения и диапазон просвечиваемых толщин. [13]
 |
Зависимость между величиной предельного потенциала и толщиной фотополупроводникового слоя. [14] |
В электрофотографии могут применяться и значительно более тонкие фотополупроводниковые слои - в пределах от 0 2 до 2 5 мк. Все, что было сказано относительно уменьшения величины предельного потенциала с уменьшением толщины слоя, сохраняет свою силу и для этого случая. [15]
Страницы: 1 2