Cтраница 4
![]() |
Динамический запоминающий элемент на униполярных транзисторах.| Четырехтранзисторный динамический запоминающий элемент. [46] |
Поскольку в схеме с транзисторами я-типа снижена величина паразитной проводимости, то в них уменьшено расстояние между транзисторами, ширина соединительных проводников и диаметры контактных выводов. [47]
Он считает, что наблюдаемые в эксперименте величины проводимости обусловлены сопротивлением очень тонкой ионизованной пленки, образующейся на поверхности полимера и легко испаряющейся при подсушивании. [49]
В результат измерения емкости вводят поправку на величину проводимости у; для этой цели используют эмпирические кривые, связывающие величины е, Y и С. [50]
Небольшие изменения концентрации электронов не влияют на величину проводимости, большие же приводят к ее изменению. [51]
Как и в жидких диэлектриках, на величину проводимости твердых диэлектриков большое влияние оказывают различные примеси. В большинстве случаев эти примеси значительно легче диссоциируют с образованием свободных ионов, чем основной диэлектрик. В кристаллических диэлектриках примеси, помимо того, что они являются источником свободных ионов, могут влиять на увеличение проводимости за счет ослабления связей решетки, в частности в кристаллах ионного типа; при этом ионы основного состава диэлектрика легче срываются со своих мест в узлах решетки и становятся носителями тока. [52]
Часто в полупроводниках наблюдаются резкие различия в величине проводимости соседних участков того же кристалла. Это явление объясняется громадным влиянием ничтожных примесей. Мы видели, что появление 0.1 % примеси может изменить проводимость в миллион раз. [53]
![]() |
Зависимость электропроводности закиси меди с различным содержанием избыточного кислорода ( возрастает с увеличением номера кривой от температуры. [54] |
Часто в полупроводниках наблюдаются резкие различия в величине проводимости соседних участков того же кристалла. Это явление объясняется громадным влиянием ничтожных примесей. [55]
Количественное различие в ширине запрещенной зоны и величине проводимости приводит к существенной разнице в оптических, магнитных и электрических свойствах диэлектриков и полупроводников. В оптическом диапазоне волн диэлектрики прозрачны, а полупроводники отражают свет и характеризуются почти металлическим блеоком. Причина в том, что узкая энергетическая щель полупроводников позволяет световым квантам е энергией около 3 эВ возбуждать свободные электроны, которые и приводят ( как в металлах) к отражению света. В диэлектриках такое отражение происходит в невидимой для глаза ультрафиолетовой части спектра. [56]