Величина - спин-орбитальное взаимодействие
Cтраница 1
Величина спин-орбитального взаимодействия в атоме зависит от среднего значения ( l / r) ( dV / dr) для электронов. Для ядра, окруженного остовом из электронов, электростатический потенциал меняется, однако, с уменьшением г гораздо быстрее из-за быстрого изменения экранирования остовом по мере приближения к ядру. Поэтому спин-орбитальное взаимодействие должно быть велико для атомов в конце периодической системы элементов и для орбит, глубоко проникающих в остов. [1]
Различие в величине спин-орбитального взаимодействия с различными подуровнями, возникшими под влиянием кристаллического поля, может привести к нескольким разным расщеплениям линий. [3]
Параметрами, передающими величину спин-орбитального взаимодействия [32], являются либо X, либо t nl, первый из которых приложим к отдельному терму, а второй является одноэлектронным параметром, имеющим конкретное значение для всей конфигурации. Sc ( II) до - 830 см 1 для Си ( II) и для Ti ( II) имеет значение 123 см 1 [136] ( см. гл. [4]
Их интенсивность зависит от величины спин-орбитального взаимодействия. [5]
Прежде чем обсуждать указанные два типа взаимодействий, следует сделать некоторые допущения относительно величины спин-орбитального взаимодействия. [6]
 |
Диаграмма энергетических уровней атома С с указанием наблюдае. [7] |
Используемый нами нерелятивистский гамильтониан оказывается пригодным для большинства целей при таких малых спин-орбитальных взаимодействиях. Однако величина спин-орбитального взаимодействия возрастает по мере увеличения порядкового номера элемента. [8]
Среднее кристаллическое поле соответствует ионному типу связи и наблюдается для элементов группы железа с недостроенной Srf-оболочкой. Возмущающее действие поля кристаллической решетки здесь больше величины спин-орбитального взаимодействия электронов, и поэтому здесь возникает большой сдвиг уровней энергии ионов, находящихся в кристалле по сравнению со свободными ионами. Уровни энергии могут быть значительно уширены. По этой причине элементы группы железа используются как эффективные сенсибилизаторы. Наличие широких полос люминесценции открывает также возможность создания лазеров с плавно перестраиваемой длиной волны генерации. [9]
Третье правило Хунда определяет, таким образом, основной уровень терма. Положение возбужденных уровней терма ( компонент тонкой структуры) определяется величиной спин-орбитального взаимодействия. [10]
Третье правило Хунда определяет, таким образом, основной уровень терма. Положение возбужденных уровней терма ( компонент тонкой структуры) определяется величиной спин-орбитального взаимодействия. [11]
 |
Поперечные сечения овальной ( а и ограненной ( б проволок. осцилляции Зондгай-мера формируют электроны, дрейфующие вдоль экстремальной хорды d и вдоль хорд излома dt, d2, rf, параллельных н. [12] |
МА определяется непосредственно внутрикристаллическим полем. При замороженных орбитальных моментах ( в магнетийах, в к-рых ионы имеют недостроенные электронные d - оболочки) она связана и с величиной спин-орбитального взаимодействия. [13]
 |
Свободные термы для различных гГ - ионов. [14] |
L S представляет собой спин-орбитальное взаимодействие. Изменение величины спин-орбитального взаимодействия в различных электронных конфигурациях также приводит к расщеплению термов, о которых уже шла1 речь. При рассмотрении этого эффекта широко используются две схемы: так называемая схема взаимодействия Рассела - Саундерса. [15]
Страницы: 1 2