Величина - сопротивление - база
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода как генератора шума. [1] |
Величина сопротивления базы зависит от тока диода. Следует различать сопротивления базы для постоянного и переменного токов. [2]
Величина сопротивления базы г ъ берется из измерений. [3]
Величина сопротивления базы rg определяется конструкцией транзистора и удельным сопротивлением материала базы. [4]
Величина сопротивления базы определяется электропроводностью исходного материала. [5]
 |
Видоизмененные высокочастотные линейные модели транзистора. [6] |
Величину сопротивления базы для малых сигналов Гб обычно указывают в паспортных данных или измеряют для выбранного статического режима. [7]
Такую величину сопротивления базы можно получить, присоединив последовательно к Гб внешнее сопротивление порядка 100 ом. [8]
В то же время величина сопротивления базы г в определяется подвижностью основных носителей заряда. Возрастание вдвое предельной частоты усиления по току в транзисторах п-р - п приводит одновременно к увеличению вдвое сопротивления базы, следовательно, фактор качества М остается неизменным. [9]
При этом пробивное напряжение будущего р-п перехода и величина сопротивления базы определяются слоем п-типа, так как при расчете сопротивления базы сопротивлением слоя п можно пренебречь ввиду его крайне низкого удельного сопротивления. [10]
Поскольку в микрорежиме при расчете входного сопротивления вполне допустимо пренебрежение величиной сопротивления базы, можно полагать, что эффект модуляции ширины базы не оказывает существенного влияния на величину входного сопротивления. [11]
Известные до настоящего времени соотношения между объемными свойствами полупроводника и параметрами точечно-контактных триодов позволяют лишь ориентировочно определить требования к исходному германию. Верхний предел удельного сопротивления ( 4 - 8 ом см) лимитируется здесь температурной стабильностью приборов и величиной сопротивления базы, а нижний ( 0 5 - 1 0 ом см) - максимально допустимым значением тока / со. Время жизни неосновных носителей заряда в германии, применяемом для изготовления большинства типов точечно-контактных триодов, превышает несколько микросекунд. [12]
В последующей главе мы введем новый параметр-сопротивление базы гь. Этот параметр в тетродах имеет значительно меньшую величину, чем в триодах. Это уменьшение величины сопротивления базы значительно улучшает частотные характеристики прибора и уменьшает положительную обратную связь между базовым контактом и эмиттерным переходом. Сопротивление базы плоскостных транзисторов можно рассматривать как некоторое введенное во внешнюю цепь эквивалентное сопротивление, которое соответствует внутреннему сопротивлению для тока, представляющего собой поток носителей от эмиттера к коллектору. [13]
Страницы: 1