Cтраница 1
Величина вносимого сопротивления при постоянном коэффициенте связи определяется значением расстройки второго контура относительно первого и достигает максимума при его настройке в резонанс. Вносимое активное сопротивление ухудшает добротность первого контура и приводит к соответствующему уменьшению амплитуды колебаний в нем, а вносимое реактивное сопротивление изменяет частоту собственных колебаний. Эти явления и положены в основу построения схем индикаторов давления с емкостными датчиками. [1]
![]() |
Токи и напряжения в связан. [2] |
Определим величину вносимого сопротивления. [3]
Существенное влияние на величину вносимых сопротивлений оказывает изменение зазора между витком и поверхностью металла. Эта зависимость носит экспоненциальный характер. [4]
Эти изменения характеризуются величиной вносимых сопротивлений. По мере увеличения частоты питающего тока приходится усложнять эту эквивалентную схему, включая дополнительные емкости и индуктивности, характеризующие межвитковую емкость и эффект близости. [5]
![]() |
Кривые мощности и к. п. д. связанных контуров. [6] |
При дальнейшем увеличении связи между контурами величина вносимого сопротивления Дг, возрастает и Р3 уменьшается, асимптотически стремясь к нулю. [7]
Удельная электрическая проводимость материала экрана мало влияет на величину вносимого сопротивления, так как после подстановки в соотношение (4.13) значения б будем иметь. [8]
При изменении рабочей волны величина г будет в основном зависеть от величины вносимого сопротивления, так как обычно пот - С вн. [9]
Анализируются результаты температурных исследований токовихревого преобразователя с целью выявления вдияния электрофизических параметров проводящего тела, функционально связанных с температурой, на величину вносимых сопротивлений в катушку индуктивности. [10]
К собственному сопротивлению антенны добавляется активное и реактивное вносимые сопротивления. Величина вносимого сопротивления зависит от величины сопротивления связи, от отношения токов и от фазы токов. [11]
Активное сопротивление контура определяется как его собственным сопротивлением, так и сопротивлениями, вносимыми лампами и специальными шунтами. На СВЧ величина вносимых сопротивлений почти всегда значительно больше собственного сопротивления контура. Поэтому добротность и резонансное сопротивление контура в основном определяются не собственным, а вносимым сопротивлением. Собственное сопротивление контура измеряется десятыми и сотыми долями ома. [12]
Для нашей задачи интерес представляют только схемы соединения обмоток, в которых вторичная обмотка соединена в звезду и заземлена. Первичная обмотка может иметь три схемы соединения: треугольник, звезда с изолированной от земли нейтралью и звезда с заземленной нейтралью. Очевидно, что величина вносимого сопротивления со стороны обмотки высшего напряжения будет зависеть от схемы ее соединения. Создаваемые ими потоки уравновешиваются потоками, создаваемыми токами нулевой последовательности во вторичной обмотке. [13]
Для этого достаточно заменить собственные значения ZLi. Ri i ( uLi приведенными Z Ll R l - i - ia L l, в которых влияние всех других контуров на первый ( коллекторный) учитывается путем изменения сопротивлений на величины вносимых сопротивлений. [14]
![]() |
Обобщенная резонансная кривая одиночного колебательного контура. [15] |