Величина - входной ток
Cтраница 3
В результате прохождения положительного скачка входного напряжения через дифференцирующую цепочку на ее выходе формируется положительный треугольный импульс. В стадии подготовки с появлением на выходе импульса запуска сначала включается транзистор Тг и отрицательный скачок его коллекторного напряжения через ускоряющий конденсатор С2 передается на базу транзистора Tt. Время включения входного транзистора Г2 зависит от величины входного тока, значения ускоряющей емкости С2, параметров транзистора Т2 и величины скачка напряжения на базе транзистора 7, при котором начинает открываться выходной транзистор. [31]
 |
Элементы на переключателях тока. а - ИЛИ. б - И.| Пороговая схема на туннельном диоде.| Усовершенствованная пороговая схема / на туннельном диоде. [32] |
На рис. 9.31 представлена простая схема И. Когда на все входы будут поданы сигналы, соответствующие 1, суммарный входной ток оказывается достаточным для переключения диода в состояние с высоким напряжением и на выходе схемы возникает импульс, также соответствующий 1Если величина входного сигнала, поданного на один из входов, достаточна для того, чтобы переключить туннельный диод, то схема выполняет функцию ИЛИ. Подобные схемы называют часто мажоритарными ( пороговыми), так как для переключения диода необходимо, чтобы сумма величин входных токов превышала некоторое пороговое значение. [33]
Необходимо отметить, что при большом входном управляющем токе ( рис. 12.45 г), выходной ток в течение значительного времени по окончанию входного импульса остается по своей величине таким же, как и в момент насыщения. Это явление объясняется накоплением неосновных носителей в германиевом кристалле. Низкое коллекторное напряжение во время состояния насыщения придает особое значение эффекту накопления. В этих условиях требуется относительно большое время для уничтожения запасов неосновных носителей в кристаллическом триоде при слабом электрическом поле в германиевом кристалле. Количество неосновных носителей, накопленных в германии, есть функция величины входного тока, а также времени, в течение которого кристаллический триод находится в области насыщения. Явление накопления неосновных носителей, которое определяет нижний предел времени, необходимого для возвращения кристаллического триода из состояния насыщения в состояние отсечки, и которое также предъявляет более строгие требования к запуску, имеет очень важное значение для быстродействующих импульсных схем на кристаллических триодах. [34]
Первая из рассмотренных причин вызывает появление так называемой статической погрешности вычислительных приборов. Действительно, в предыдущих главах мы все время предполагали, что напряжение в суммирующей точке равно нулю. На самом деле это напряжение равно величине выходного напряжения, деленной на коэффициент усиления. Напряжение в суммирующей точке представляет собой чистую погрешность вычисления, или разбаланс вычислительного прибора. Заметим, что статическая погрешность, обусловленная конечностью коэффициента усиления, является систематической. При желании ее величина может быть вычислена и скомпенсирована. Статическая систематическая погрешность вносится также благодаря конечности входного сопротивления усилителя. Действительно, поскольку входное сопротивление конечно, а величина напряжения в суммирующей точке отлична от нуля, по входной цепи усилителя всегда будет протекать некоторый ток и, следовательно, сумма токов, притекающих к суммирующей точке, будет отличаться от нуля на величину входного тока. [35]
Страницы: 1 2 3