Величина - прямой ток
Cтраница 4
Из ( 43) следует, что ТКПТ тем меньше, чем больше приложенное напряжение U и, соответственно, плотность прямого тока. Сама величина прямого тока при больших уровнях инъекции, как это видно из ( 38), вовсе не зависит от удельного сопротивления германия. Это объясняете тем, что при больших уровнях инъекции начальные концентрации электронов и дырок относительно столь малы, что практически не играют роли. [46]
 |
Зависимость допустимого среднего значения прямого тока от частоты ( для синусоидального подводимого напряжения и активно-индуктивной нагрузки. [47] |
Практически не влияет на частотные свойства диодов снижение величины обратного напряжения. Снижение величины прямого тока, напротив, существенно влияет на повышение частотного предела работоспособности диодов. [48]
Диффузионная емкость перехода CD учитывает эффект накопления носителей в базе. Она зависит от величины прямого тока. [49]
 |
Зависимость токаи барьерной емкости от напряжения кремниевого диода р - п перехода в режиме обратного смещения.| Эквивалентная схема полупроводникового диода при обратном смещении. [50] |
Вольтамперная характеристика диода позволяет определить величину прямого и обратного токов. Важнейшими параметрами диода являются величина прямого тока при напряжении 1 в, величина пробивного обратного напряжения и величина обратного тока при максимальном обратном напряжении. [51]
 |
Схема для измерения параметров обратной ветви ВАХ диодов. [52] |
Измеряемый диод работает в качестве однополупериодного выпрямителя переменного тока. При измерениях в динамическом режиме величина прямого тока задается по среднему значению выпрямленного тока, а величина обратного напряжения - по амплитудному значению переменного напряжения, подводимого к диоду. Измеряемые величины - с / пр и / Обр - характеризуются их средним значением. [53]
При переключении кремниевого диода, например, типа 1 N482, из состояния прямой проводимости на обратное напряжение требуется определенное время для восстановления высокого значения обратного сопротивления. Это время восстановления зависит от величины прямого тока, непосредственно предшествующего подаче обратного напряжения, и от сопротивления управляющего источника после установления обратного напряжения. Обычно для этого типа диодов время восстановления будет больше времени рассасывания и спада транзистора Т4 при отсутствии обратного тока базы. Следовательно, если при запирании транзистора Т4 в его базовой области находятся задержанные заряды, замедляющие процесс выключения, напряжение базы V2 падает ниже V. Кремниевый диод, обладающий большим временем восстановления, пропускает значительный обратный ток и ускоряет процесс выключения. Обратный ток кремниевого диода и ток 0 1 ма, протекающий через R В, обеспечивают такую же скорость выключения, что и в обычных схемах с непосредственными связями. [54]
В зависимости от назначения диода величина прямого тока / пр, при котором ведется изменение Unp, изменяется в очень широких пределах. Величина / ПР выбирается такой, чтобы режим измерения соответствовал крутому участку вольт-амперной характеристики. [55]
Время рассасывания оказалось ничтожно малым даже при больших прямых токах базы, дающих высокую степень насыщения. Время спада в активной области зависит от величины прямого тока базы непосредственно перед выключением. [56]
Продолжительность и величина обратного тока непосредственна определяются величиной прямого тока непосредственно перед коммутацией. Как только тиристор будет заперт, что происходит обычно через несколько микросекунд, остаточный заряд конденсатора вызовет ток через нагрузку к минусовому зажиму источника питания. [57]
Если осциллограф настроен я а соответствующий масштаб измерения, на его экране наблюдается обратная ветвь ВАХ. При этом прямая ветвь не просматривается, так как величина прямого тока при ничтожном падении напряжения очень велика. [58]
Страницы: 1 2 3 4