Величина - фотопроводимость
Cтраница 1
Величина фотопроводимости зависит не только от интенсивности облучения, но и от его спектрального состава. Явление фотопроводимости ( внутренний фотоэффект) используется в фоторезисторах, обладающих чувствительностью к свету и его спектральному составу. [1]
В предположении, что рекомбинация в пленках носит мономолекулярный характер, величина фотопроводимости пропорциональна интенсивности внешней подсветки. С увеличением содержания в газовой смеси аммиака вплоть до значения Л Н / 81Н4 0 26 темно-вая проводимость и фотопроводимость проявляют тенденцию к возрастанию. [3]
В предположении, что рекомбинация в пленках носит мономолекулярный характер, величина фотопроводимости пропорциональна интенсивности внешней подсветки. С увеличением содержания в газовой смеси аммиака вплоть до значения Л н / 8Ш4 02 темно-вая проводимость и фотопроводимость проявляют тенденцию к возрастанию. [5]
В соответствии с законами нарастания и спада концентрации неравновесных носителей изменяется и величина фотопроводимости. Эти явления постепенного изменения 0ф при включении и выключении облучающего потока света называются релаксацией фотопроводимости. [6]
Красители различных классов ( анионные, катионные, несолевые) могут действовать как сенсибилизаторы вне зависимости от величины фотопроводимости в компактных слоях этих красителей. Знак носителей фототока в самом красителе несуществен для знака заряда носителей в сенсибилизованном фотоэффекте, который всегда определяется полупроводником. Даже в случае красителей, обладающих значительной фотопроводимостью в твердых слоях, эта фотопроводимость в 100 - 1000 раз меньше, чем сенсибилизованная этими красителями в неорганических полупроводниках. Эффективность сенсибилизации очень высокая и достигает 50 - 70 % от собственной чувствительности полупроводника. [7]
 |
Энергетические уровни экситона, образовавшегося в результате поглощения фотона с энергией, не достаточной для возбуждения пары электрон-дырка. [8] |
При энергии квантов, обеспечивающих появление фотопроводимости, величина ее возрастает с увеличением интенсивности облучения вначале быстро, а потом медленнее, так как одновременно происходят два процесса с противоположным влиянием на величину фотопроводимости. С одной стороны, увеличивается число носителей, с другой стороны, возрастает рекомбинация с увеличением концентрации носителей как одного, так и другого знака. В результате получается зависимость, показанная на рис. 1.31. Закономерности возрастания фотопроводимости от интенсивности облучения у разных полупроводников различные. [9]
Из скатанного выше следует, что при обычных температурах фотопроводимость появляется в основном за счет собственного поглощения света и поэтому становится заметной, начиная с частоты vmin - г - 2 - - При выполнении этого условия величина фотопроводимости зависит от интенсивности падающего на кристалл света. Под интенсивностью света J подразумевается величина, равная числу фотонов, падающих в единицу времени на единицу поверхности. [10]
Величина фотопроводимости и другие свойства и параметры фоторезистора во многом определяются процессами рекомбинации неравновесных носителей. [11]
Ряд низкомолекулярных органических соединений обнаруживает фотоэлектрическую чувствительность. При освещении в соответствующей области спектра их проводимость возрастает. Величина фотопроводимости зависит от целого ряда факторов: длины волны света, падающего на фотополупроводник, интенсивности освещения, температуры, атмосферы, в которой фотополупроводник находится. В достаточно сильных полях фотопроводимость может зависеть от напряженности поля. Ниже будут рассмотрены основные экспериментальные данные по фотопроводимости в органических полупроводниках. [12]
Эти методики, получившие широкое распространение в практике измерений, имеют три основные разновидности: метод затухания фотопроводимости, фазовый и частотный методы. Основаны они на том, что величина фотопроводимости пропорциональна избыточной концентрации носителей заряда, возникающей в образце при освещении. В разделе 4.4 на рис. 54 показана форма импульса избыточной концентрации при прямоугольной форме возбуждающих импульсов. Видно, что и стационарное значение фотопроводимости и форма переднего и заднего фронта сигнала фотопроводимости сильно зависят от времени жизни носителей заряда. Фазовый и частотный методы измерения основаны на зависимости от времени жизни переднего фронта импульса фотопроводимости. Метод затухания фотопроводимости основан на анализе формы заднего фронта импульса. После выключения светового импульса фотопроводимость в образце, вообще говоря, спадает по сложному закону, представляемому некоторым рядом слагаемых. [13]
При собственном и примесном поглощениях возникают избыточные свободные носители заряда, приводящие к увеличению проводимости полупроводника. Добавочная проводимость, приобретаемая полупроводником: при облучении светом, называется фотопроводимостью. Приборы, предназначенные для регистрации светового излучения пес величине фотопроводимости, называются фоторезисторами. [14]
Сравнение времен жизни при слабом [ см. ( 3) ] и при сильном [ см. ( 6) ] возбуждении показывает, что второе заключено между первыми двумя или равно им. Последнее может иметь место только случайно, когда времена жизни электронов и дырок в условиях слабого возбуждения совпадают. Следовательно, вообще говоря, существует промежуточная область между областями слабого и сильного возбуждения, в которой концентрации п и р свободных носителей тока стремятся к общему значению, соответствующему уровню возбуждения ( фиг. Величина фотопроводимости определяется большим временем жизни, поэтому люксамперная характеристика будет иметь вид верхней кривой. [15]
Страницы: 1 2