Величина - время - жизнь
Cтраница 1
Величина времени жизни и структура спектра позволяют предположить, что аннигиляция в полиимиде происходит из позитронного состояния без образования атома позитрония, как это свойственно для металлов и полупроводников с высокой подвижвостью электронов и упорядоченной кристаллической структурой. [1]
Как влияет величина времени жизни носителей на прямое сопротивление диода и на его импульсные характеристики. [2]
Дислокации уменьшают величину времени жизни неосновных носителей заряда. Кроме того, они оказывают большое влияние на процессы вплавления и диффузии. [3]
Никаких данных о величине времени жизни в GaSb не опубликовано, но, согласно неопубликованным данным, время жизни в GaSb, измеренное по методу ФЭМ - ФП-отношения, близко к 1 мксек. [4]
Были выделены три компонента: величина времени жизни первого ко-роткоживущего компонента ( 170 - 220 пс) сильно зависела от длительности релаксации; время жизни второго ( 388 10 пс), как показали проведенные исследования [49], не зависит или слабо зависит от состояния образца, однако наблюдаются заметные изменения интенсивности этого компонента. [6]
В предыдущем разделе был показан порядок величины времен жизни реакций, которые можно определить методом ЯМР. Количественное определение констант скоростей можно провести следующим образом: система описывается уравнениями Блоха ( стр. Затем вычисляют форму линии для различных значений т и сравнивают ее с наблюдаемой до тех пор, пока не получится совпадения. Среднее время жизни связано с константой скорости первого порядка; например, для реакции между НА и Н В ( стр. [7]
Это означает, что вклад в величину времени жизни могут давать и другие механизмы уширения. [8]
Из анализа уравнения (4.45) видно, что величина времени жизни электронно-дырочных пар не зависит от неравновесных концентраций, как этого и следовало ожидать при малом уровне инжекции, а зависит от равновесных концентраций электронов и дырок п0 и р значения которых определяются положением уровня Ферми. Величина т зависит также от типа и концентрации центров рекомбинации, а именно через величины тп и тро от концентрации N i и коэффициентов захвата уп и ур электронов и дырок на эти центры, а через пг и рг - от энергетического положения реком-бинационного уровня Et в запрещенной зоне. [9]
Из анализа уравнения (4.99) видно, что величина времени жизни электронно-дырочных пар не зависит от неравновесных концентраций, как этого и следовало ожидать при малом уровне инжекции, а зависит от равновесных концентраций электронов и дырок п0 и р0, значения которых определяются положением уровня Ферми. Величина т зависит также от типа и концентрации центров рекомбинации, а именно через величины т и тро от концентрации Nt и коэффициентов захвата уп и 7р электронов и дырок на эти центры, а через пг и рх - от энергетического положения рекомбинацион-ного уровня Е ( в запрещенной зоне. [10]
Из анализа уравнения (4.45) видно, что величина времени жизни электронно-дырочных пар не зависит от неравновесных концентраций, как этого и следовало ожидать при малом уровне инжекции, а зависит от равновесных концентраций электронов и дырок п0 и р значения которых определяются положением уровня Ферми. Величина т зависит также от типа и концентрации центров рекомбинации, а именно через величины тп и тро от концентрации N i и коэффициентов захвата уп и ур электронов и дырок на эти центры, а через пг и рг - от энергетического положения реком-бинационного уровня Et в запрещенной зоне. [11]
 |
Кривые нарастания и спада фототока в случае квадратичной рекомбинации при импульсном освещении образца. [12] |
При квадратичной рекомбинации непрерывно меняется число центров рекомбинации и величина времени жизни. [13]
 |
Конструкция полупроводникового триода. [14] |
Следует отметить, что в большинстве случаев именно состояние поверхности является определяющим для величины времени жизни неосновных носителей в полупроводниковом триоде. [15]
Страницы: 1 2 3