Величина - ширина - запрещенная зона
Cтраница 1
Величина ширины запрещенной зоны у GaAs более близка к длине волны максимума солнечного излучения, чем величина запрещенной зоны у кремния. [1]
Таким образом, величина Ег интерпретировалась как величина ширины запрещенной зоны АЕ, по данным разных авторов она равна от 1 82 до 2 08 эв. Измеренный Менхом [171] спектр оптического поглощения показал, что край основной полосы поглощения соответствует энергии 1 9 эв, что хорошо согласуется с термической величиной АЕ. Измерения постоянной Холла, осуществленные Фельдманом [172], дали несколько меньшую величину АЕ1 56 эв. [2]
Последний вывод дает основание ожидать, что существует определенная корреляция между величиной ширины запрещенной зоны и разностью члектроотрииательностей аниона и катиона. Большая разность электроотрицагельностей способствует образованию ионных связей. В таких случаях обратного переноса заряда от аниона к катиону ожидать трудно, и это хорошо коррелирует с тем, что ионные твердые тела имеют широкую запрещенную зону. Можно считать, что запрещенная зона состоит из двух частей: гомополярпая часть запрещенной зоны - это такая запрещенная зона, которая существовала бы в отсутствие разности электроотрицателыюстей составляющих данное вещество компонентов, и часть, определяемая степенью ионности связи. Подробнее такие корреляции обсуждаются в разд. [3]
Переход от полупроводников к диэлектрикам. Величина ширины запрещенной зоны может позволить провести условную границу между полупроводниками и диэлектриками. При обратном процессе имеет место выделение кванта той же величины. В твердом теле этот механизм столь же эффективен: не только тепловая энергия, но и свет резко влияют на электропроводность полупроводников ( п диэлектриков), почему и различаются, как известно, темповая и световая проводимости. [5]
В ( 0 663 и 0 802 эВ при 300 К) [452] Таким образом, при температурах вплоть До 300 К экстремум зоны проводимости в центре зоны Бриллюэна находится на 0 14 эВ выше экстремума в точке L. Идентичная величина ширины запрещенной зоны для прямых переходов при 4 2 К была получена Захарченей, Сейсяном и Варфоломеевым [820] из экспериментов но межзонному магнито-поглощению ( разд. [6]
Здесь fe100 - волновой вектор, соединяющий центр зоны Бриллюэна с гранью ( 100) зоны. Найти величину ширины запрещенной зоны на грани ( 100), если энергетические состояния в первой и второй зонах Бриллюэна и не перекрываются. [7]
Робертса и Кваррингтона для GaSb. Оптическая и термическая величины ширины запрещенной зоны очень хорошо согласуются между собой. При комнатной температуре ширина запрещенной зоны равна 1 35 эв. Линейная экстраполяция оптических данных к 0 К дает 1 5 эв. Рекомбинационное излучение наблюдал Браунштейн ( см. выше), однако обнаруженный им максимум соответствует 1 10 эв и даже приблизительно не совпадает с краем спектра поглощения. [8]
Варшни нашел, что эта формула удовлетворительно описывает экспериментальные данные для алмаза, Si, Ge, 6H, SiC, GaAs, InP и InAs, но величины 0, вычисленные из этих данных, заметно отличаются от дебаевских температур. Однако получение точных значений 6 таким методом зависит от использования надежных данных о величине ширины запрещенной зоны как при низких, так и при высоких температурах, тогда как а можно вычислить довольно точно из данных, относящихся только к высоким температурам. [9]
Характерной особенностью этих соединений является сильно выраженная слоистость и диамагнитные свойства. Все соединения окрашены ( от желтого до коричневого цвета) в соответствии с их оптическими свойствами и величиной ширины запрещенной зоны. При этом оптическая ширина запрещенной зоны падает: у соединений галлия - от сульфида к теллуриду, а у соединений индия - от сульфида к селениду. [10]
Характерной особенностью этих соединений является сильно выраженная слоистость и диамагнитные свойства. Все соединения окрашены ( от желтого до коричневого цвета) в соответствии с их оптическими свойствами и величиной ширины запрещенной зоны. При этом оптическая ширина запрещенной зоны падает: у соединений галлия - от сульфида к теллуриду, а у соединений индия-от сульфида к селениду. [11]
Они выяснили, что во всем этом интервале температур нет никаких аномалий в поведении удельной теплоемкости: удельная теплоемкость плавно растет при увеличении температуры. Величина молекулярной теплоемкости при температурах выше 260 К стремится к постоянному значению, равному для PbS, PbSe и РЬТе соответственно 11 7, 11 9 и 12 0 кал / С. Характеристическая температура 0D для PbS, PbSe и РЬТе равна соответственно 159, 144 и 128 при Г25 К и 227, 138 и 125 при Г200 К. Она изменяется в соответствии с положением аниона в периодической системе элементов, а не в соответствии с величиной ширины запрещенной зоны. [12]
Страницы: 1