Величина - свободная поверхностная энергия
Cтраница 2
Таким образом, основная закономерность адсорбции заключается в том, что если величина свободной поверхностной энергии для раствора меньше, чем для чистого растворителя, то концентрация растворенного вещества в поверхностном слое будет выше объемной. Такие вещества, понижающие при растворении о на границе раздела, называются поверхностно-активными. Если же растворенное вещество повышает. [16]
Описанные отличия в распространении ртути и галлия по цинку следует сопоставить с величинами свободной поверхностной энергии на границах фаз в каждом из этих случаев. [17]
Такое определение позволяет рассматривать поверхностное натяжение как фактор напряженности ( интенсивности) в величине свободной поверхностной энергии Fa & S, на что уже указывалось выше. [18]
При контактировании таких жидкостей с поверхностями низкой энергии растекания обычно не наблюдается вследствие близости величин свободных поверхностных энергий твердого тела и жидкости. Как показывают многочисленные исследования, ни одна из таких жидкостей не растекается и на поверхностях высокой энергии, если на последних ранее или во время смачивания образуются адсорбционные покрытия со свойствами поверхности низкой энергии. [19]
При контактировании таких жидкостей с поверхностями низкой энергии растекания обычно не наблюдается вследствие близости величин свободных поверхностных энергий твердого тела и жидкости. [20]
Следовательно, для обеспечения термодинамической выгодности процесса диспергирования твердого тела на частицы бт - 10 - 6 см величина свободной поверхностной энергии этого тела на границе со средой должна быть понижена не меньше, чем до десятых долей эрга на квадратный сантиметр. [21]
На этапе зарождения и роста фрактальных частиц новой фазы происходит увеличение суммарной поверхности раздела фаз, которая характеризуется величиной свободной поверхностной энергии, что повышает энергетическую составляющую системы. Это является движущей силой для частичного слияния граничных зон кластеров и формирования структур более высокого масштаба. [22]
На этапе зарождения и роста фрактальных частиц новой фазы происходит увеличение суммарной поверхности раздела фаз, которая характеризуется величиной свободной поверхностной энергии, что повышает энергетическую составляющую системы. Это является движущей силой для частичного слияния граничных зон кластеров и формирования структур более высшего масштаба. [23]
 |
Конформации гипотетического двумерного кристалла. [24] |
Таким образом, вполне вероятно, что появление дефектов на неравновесной поверхности может быть обусловлено не только выходом на поверхность объемных дефектов, но и неравенством величин свободной поверхностной энергии и поверхностного напряжения. Способность поверхности освобождаться от неравновесных напряжений очень сильно зависит от температуры. Бертон и Кабрера [29] вводят соответствующую характеристическую температуру Тс. Только при температуре выше Тс поверхностные атомы могут подниматься на грани кристалла, создавая тем самым неоднородности молекулярного масштаба. Тс - это своего рода поверхностная температура плавления; она приблизительно равна половине объемной температуры плавления и, вполне вероятно, связана с таммановской температурой, при которой спекание начинает идти с заметной скоростью. [25]
Отсюда следует, ЧТОБ обоих случаях механизм разрушения характеризуется весьма сходными чертами; различие же прочности связано, как это будет показано в следующем параграфе, с единственным параметром - величиною свободной поверхностной энергии цинка а, которая в присутствии ртути резко падает. [26]
Кристаллическая структура глинистых минералов, ее несовершенства, виды и число нарушений решетки, дисперсность и форма первичных частиц и их агрегатов, состояние и свойства поверхности, наконец, энергетика частицы - величина свободной поверхностной энергии - определяют характер образования коагуляционных структур их водных дисперсий. [27]
 |
Ступеньки, выступы и уступы на грани кристалла, представляющие различные участки для присоединения новых атомов при росте. [28] |
Ориентация и структура граней кристалла исследуются уже довольно давно. Термодинамическое рассмотрение величины свободной поверхностной энергии в зависимости от ориентации позволяет получить удовлетворительную картину равновесной структуры. Однако надо иметь в виду, что фактическое соотношение граней может отличаться от равновесного вследствие влияния кинетических факторов на рост той или иной грани. Быстро растущие грани легко исчезают при росте кристалла. Грани с плотной упаковкой, как правило, растут наиболее медленно. [29]
Важным процессом, протекающим в период старения кристаллического осадка, является агрегация частиц. Она обусловлена стремлением системы уменьшить величину свободной поверхностной энергии путем слияния соударяющихся кристаллов с последующей их ориентацией и старением. Сущность этого процесса достаточно подробно была рассмотрена в предыдущей главе. [30]
Страницы: 1 2 3