Разброс - параметр
Cтраница 1
Разброс параметров зависит от совершенства технологических процессов и квалификации производственного персонала; чем меньше допустимый разброс параметров, тем дороже обходятся приборы в производстве. [1]
Разброс параметров не учитывать; токи запертых транзисторов считать пренебрежимо малыми. [2]
Разброс параметров характеризуют: а) предельным абсолютным значением; б) предельным относительным значением; в) средним квадратичным отклонением. [3]
Разброс параметра, появление которого всякий раз - случайное событие, тем не менее подчиняется определенным закономерностям. [4]
Разброс параметров связан с технологическими процессами при изготовлении транзисторов данного типа, с чистотой химических элементов и однородностью и чистотой исходного материала. Могут быть названы следующие основные причины разброса. [5]
Разброс параметров не является специфической особенностью транзисторов и не может рассматриваться как принципиальный их недостаток. [6]
 |
Тонкопленочный резистор.| Тонкопленочный конденсатор. [7] |
Разброс параметров находится в пределах 10 %, а температурный коэффициент емкости ( ТКЕ) составляет 0 001 % на 1 С. [8]
Разброс параметров у различных экземпляров триодов ( в особенности, у точечных) значительно больше, чем у ламп. [9]
Разброс параметров и изменение их значений во времени при проектировании аппаратуры учитываются расчетными методами или экспериментально, например методом граничных испытаний. [10]
Незакономерный разброс параметров по всей полосе допустимых отклонений свидетельствует о нестабильности производства или о неудовлетворительном состоянии средств испытаний. [11]
 |
Распределение относительных погрешностей коллекторных токов партии транзисторов МП13Б. постоянном токе. [12] |
Разброс параметров усилителей, подвергавшихся исследованиям, подчиняется нормальному закону распределения. [13]
Разброс параметров тракта кон -, тура обратной связи, особенно цепи усиления, может быть весьма существенным. Чтобы при этом гарантировать устойчивость в малом, очевидно, необходимо введением запасов устойчивости очертить границу заиретной области, в которую не должна заходить диаграмма Найквиста. Выбирая запас устойчивости, учитывают также требования к устойчивости в целом и устойчивости в режиме вынужденных колебаний при учете нелинейных свойств тракта обратной связи. [14]
Разброс параметров полупроводниковых приборов и дрейф их во времени при конструировании радиоэлектронной аппаратуры могут быть учтены обычными методами, применяемыми для расчета электрических допусков, или экспериментально, методом граничных или матричных испытаний. [15]
Страницы: 1 2 3 4