Разброс - удельное сопротивление
Cтраница 1
Разброс удельного сопротивления по всей длине кристалла должен быть весьма небольшим, так как это является одним из условий оптимальности температурной компенсации тензорезисторов в пределах одной партии. [1]
Кроме того, поставляемый кремний всегда имеет некоторый разброс удельного сопротивления по длине слитков и по их диаметру. Эти отклонения удельного сопротивления достигают 5 - 10 % и могут быть как положительными, так и отрицательными. Реальный кремний может иметь и ряд других дефектов, которые приводят к снижению напряжения лавинного пробоя. Учитывая это, на практике обычно заказывают кремний с удельным сопротивлением, значение которого несколько превышает расчетные значения. [2]
Исследования однородности легирования показали, что при легировании разброс удельного сопротивления отдельных кристаллов в одном тигле уменьшается с увеличением количества вводимой примеси. [3]
После обработки опытных данных сравнивали величины разброса удельного сопротивления по сечению кристаллов, полученные при различных тепловых полях. [4]
Будем считать, что величины п, Et, Nt, Ср, Ср / Сп постоянны, а величины ф8 и Ыя могут изменяться случайным образом относительно некоторого среднего значения. Иными словами, примем, что вариации S связаны с разбросом удельного сопротивления полупроводника и потенциала, обусловленного поверхностными зарядами. Положим, что закон распределения величин р и Л / д нормальный. [5]
Такой выбор связан с двумя обстоятельствами. Во-первых, значение рп должно быть несколько больше минимально необходимого значения из-за разброса удельного сопротивления исходного кремния. Во-вторых, что более важно, увеличение удельного сопротивления до определенных пределов приводит к уменьшению толщины высокоомной области коллектора при заданном значении напряжения пробоя. [6]
Микрорельеф меньше влияет на резистивные пленки, чем на емкостные элементы микросхемы. Это связано с тем, что поры и другие единичные дефекты составляют, как правило, лишь небольшую часть ширины полоски сопротивления и обычно не вызывают обрывов или чрезмерной концентрации тока в этих местах. Однако грубый микрорельеф обусловливает дополнительный разброс удельного сопротивления пленки при производстве микросхемы. [7]
 |
График зависимости разброса удельного сопротивления от скорости роста слитка. [8] |
При выращивании монокристаллов со скоростями подъема затравки более чем 3 0 мм / мин градиент температуры в столбике меняет знак на противоположный, теплота с его поверхности стекает, рассеивается в окружающую среду. Изотермические поверхности также меняют кривизну, становятся вогнутыми в сторону кристалла. На рис. 76 нанесены опытные значения разброса удельного сопротивления в сечениях кристаллов, равноудаленных от затравки, полученных при различных скоростях подъема затравки. [9]
Чохраль-ского, предложенному еще в 1917 году, можно видеть, что многие трудности преодолимы. Новые сис темы выращивания монокристаллов обеспечивают постоянство заданного значения диаметра по длин ( е кристалла, равномерное распределение примесей, снижение разброса удельного сопротивления в сечении кристаллов. [10]
В каждой из серий опытов производилась оценка влияния числа оборотов затравки и тигля на формирование полей температур в расплаве и качество получаемых слитков. Вариация чисел оборотов затравки от 10 до 60 об / мин и тигля от 2 0 до 20 об / мин в опытах с первым нагревателем заметных изменений в форму тепловых полей, качество выращенных кристаллов не вносила. При исследованиях нагревателя с радиальным подводом теплоты к тиглю ( рис. 69, б) изменение этих параметров незначительно сказывалось на качестве слитков и температурном поле расплава. Увеличение чисел оборотов вала затравки от 10 0 до 60 об / мин приводило к некоторому спрямлению изотермических поверхностей в расплаве, уменьшению разброса удельного сопротивления по сечению кристалла. [11]
Страницы: 1