Относительный разброс
Cтраница 2
Очевидно, что, чем больше абсолютные значения составляющих разности (6.57), тем при равных относительных разбросах величина Ьэмакс окажется больше и тем меньшим запасом устойчивости будет обладать усилитель. [16]
 |
Испарение капель диамилсебацата. [17] |
Следует, однако, заметить что в самой интересной для теории области малых значений гР относительный разброс экспериментальных точек очень велик и не позволяет решить вопрос о выборе правильной формулы для скорости испарения капелек при радиусе, сравнимом со средней длиной свободного пути молекул пара. [18]
Формулируя задание на проектирование ТСВ, мы часто располагаем информацией только о средних значениях Свх и К и их относительных разбросах CTCBX и OK - Обычно эти данные характеризуют медленные составляющие колебаний. Выведем формулу / ( СВых) для ТСВ, работающей в условиях нормально распределенных статистически независимых колебаний Свх и К. [19]
Из рис. 1.17 видно, что при уменьшении рабочих токов статическое входное сопротивление транзистора увеличивает не только абсолютный, но и относительный разброс своих величин. Это предъявляет особые требования к схемам, рассчитанным без отбраковки транзисторов, при их работе в микрорежиме. [20]
Характерной особенностью зависимости величин граничной частоты от тока эмиттера ( рис. 1.21) является то, что не только абсолютный, но и относительный разброс величин ft падает с уменьшением тока. [21]
В эксперименте значение Л - оценивается с помощью предварительных измерений, но ошибка, связанная с неточностью знаний hi, в общем невелика, так как обычно больший относительный разброс в hi наблюдается в тех точках, вклад которых в дисперсию D ( Y) минимален. [22]
Из теоретического анализа шумовых свойств многоскоростных электронных потоков следует [19], что одним из основных факторов, влияющих на минимальное значение коэффициента шума усилителя, является относительный разброс начальных скоростей электронов в прикатодной области. [23]
Оно показывает, что для групп II и III, где объединены однотипные по размерам и механическим свойствам материалов образцы с идентичной технологией выполнения основных операций, подтверждается вывод об уменьшении относительных разбросов с увеличением абсолютных размеров объектов. [24]
 |
То же, что на 8, но для остатков логарифмов исходных величин ( пример 16. [25] |
Вид схематической диаграммы остатков логарифмов существенно отличается от вида для остатков исходных величин ( см. рис. 10), когда рассеяние чисел для образцов А, Б, В примерно одинаково, а для Г - наименьшее. Относительный разброс ( С-ширины) также получается сильно различающимся: для образца Б 21 / 52 0 4, а для образца В 14 / 267 0 05, что и отражено на диаграмме остатков логарифмов. [26]
Длительностью ft ( например, применяя интегратор с нужной постоянной времени) и сравнивают показания индикатора СА на выходе фильтров ( фильтра) для разных участков реализации в одной и смежных полосах частот Рф. Относительный разброс показаний индикатора А / нужно сопоставить с принятой в качестве первого приближения суммарной погрешностью Sj, или случайной 6СЛ1 погрешностью. [27]
Относительный разброс сопротивлений пространственно близких резисторов гораздо меньше, чем разброс абсолютных значений, что является важной особенностью схем ИМС. Это обстоятельство ощутимо облегчает реализацию некоторых схем. То же самое можно сказать и о температурных коэффициентах сопротивлений интегральных резисторов: у близко расположенных резисторов они близки. Следовательно, заданное отношение резисторов ( их нормированное значение) будет поддерживаться довольно стабильно и в диапазоне температур. [28]
Данный вывод имеет большое значение для изучения формовки автоэмиттеров. Формовка приводит к уменьшению относительного разброса величины R, что означает создание на поверхности автоэлектронного эмиттера ансамбля практически одинаковых микровыступов, работающих в примерно равных условиях токоотбора. [29]
Страницы: 1 2 3 4