Развитие - вторичный пробой
Cтраница 1
Развитие вторичного пробоя существенно определяется локальными неоднородностями транзисторной структуры, обусловливающими неравномерную плотность тока, местный разогрев, а затем и перегрев структуры, сопровождающийся проплавлением базы. [1]
 |
Графики развития вторичного пробоя. [2] |
Электрический и тепловой механизмы развития вторичного пробоя являются не единственными. В реальных транзисторах концентрация тока и развитие вторичного пробоя могут быть результатом наличия дефектов в кристалле, плохого качества пайки и др. Но какова бы ни была причина развития вторичного пробоя, результатом его является шнурование тока и локальный перегрев с проплав-лением кристалла. [3]
 |
Графики развития вторичного пробоя. [4] |
Это время называют временем задержки развития вторичного пробоя. Если время нахождения транзистора в опасном режиме меньше времени развития вторичного пробоя, то вторичный пробой не возникает. Поэтому при коротких длительностях импульсов тока в транзисторе вторичный пробой может и не развиться. Исследования показали, что при развитии вторичного пробоя ( во время задержки) в цепи базы могут возникать автоколебания сравнительно высокой частоты, которые могут быть использованы для предсказания опасного значения тока и защиты транзистора. [5]
 |
Графики развития вторичного пробоя. [6] |
Во всех трех случаях при развитии вторичного пробоя происходит резкое увеличение тока коллектора и снижение напряжения на коллекторе, связанное с проплавлением коллекторного перехода. [7]
 |
Графики развития вторичного пробоя. [8] |
Если транзистор работает в усилительном режиме, то развитие вторичного пробоя и возникновение токового шнура связано с потерей термической устойчивости, при которой увеличение тока в каком-либо месте структуры приводит к повышению ее температуры, а повышение температуры увеличивает ток. Этот процесс нарастает лавинообразно и приводит к проплавлению структуры. [9]
Применение высокочастотных транзисторов в низкочастотных ЭУ нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшими эксплуатационными запасами. [10]
Поскольку траектория рабочей точки охватывает область с отрицательным сопротивлением и одновременно имеют место значительные токи и напряжения, то при такой коммутации возможно развитие вторичного пробоя. [11]
Наиболее сложной проблемой является защита транзисторов от вторичного пробоя. При развитии вторичного пробоя транзистор теряет управление по базе, и даже подавая на базу обратное смещение, запереть его нельзя. Единственным способом защиты транзистора в этом случае является распознавание развития вторичного пробоя во время задержки и шунтирование выводов коллектор-эмиттер транзистора с помощью быстродействующего тиристора. [12]
 |
Графики развития вторичного пробоя. [13] |
Электрический и тепловой механизмы развития вторичного пробоя являются не единственными. В реальных транзисторах концентрация тока и развитие вторичного пробоя могут быть результатом наличия дефектов в кристалле, плохого качества пайки и др. Но какова бы ни была причина развития вторичного пробоя, результатом его является шнурование тока и локальный перегрев с проплав-лением кристалла. [14]
Это приводит к характерному раздвоению осциллограмм. На осциллограмме, в частности, хорошо видна задержка развития вторичного пробоя. [15]
Страницы: 1 2