Cтраница 1
![]() |
Зависимость / тах от концентрации электролитов при Ект, 15 кВ / см. [1] |
Развитие лавинообразного процесса завершается возникновением электрического разряда, причем время возникновения разряда зависит от начальной концентрации ионов и лимитируется длительностью свободного пробега иона до соседнего. [2]
В автоколебательном режиме импульсного устройства развитие лавинообразного процесса опрокидывания связано с внутренним источником перепадов тока в виде хронирующей индуктивности. [3]
Вначале покажем, что диоды, обладающие односторонней проводимостью, не препятствуют развитию лавинообразных процессов. [4]
Величина амплитуды запускающего импульса должна быть достаточной для отпирания транзистора Ть так чтобы выполнялось условие развития лавинообразного процесса. [5]
Запись осуществляется, как и в ПЛМ на транзисторах с плавающим затвором; положительное напряжение на управляющем затворе способствует развитию лавинообразного процесса, поэтому сокращается время записи информации. Стирание осуществляется при большом ( 60 - 90 В) напряжении на управляющем затворе. [6]
![]() |
Схема триггера со счетным входом и с индикаторной лампочкой. [7] |
Следует отметить, однако, что по скорости срабатывания лучшие результаты дают триггеры с постоянным смещением, так как благодаря большему коэффициенту усиления каскада в них облегчаются условия развития лавинообразного процесса при опрокидывании триггера. [8]
![]() |
Принципиальная схема триггера с кодиьыми входами, выполненного на базовых ТТЛ-элементах. [9] |
Переключения триггера производится сигналами низкого уровня ых и ы0, подаваемыми на входы У / и У О. Во время переключения перекрестные обратные связи являются положительными, они способствуют развитию лавинообразного процесса. Тем не менее, для надежного переключения длительность входного запускающего сигнала должна превосходить время переходных процессов в триггере. [10]
Процесс опрокидывания импульсного устройства на туннельном диоде ( ТД) начинается с выхода рабочей точки диода на падающий участок его статической характеристики и заканчивается переходом рабочей точки на противоположную восходящую ветвь характеристики. Длительность процесса опрокидывания является важнейшей характеристикой импульсного устройства, в значительной степени определяющей его предельные динамические характеристики. Стадия подготовки определяет задержку и начальную скорость развития лавинообразного процесса. [11]
В исходном состоянии триод Т закрыт подачей положительного смещения на его базу, а триод Tz открыт, так как на его базу подается отрицательное напряжение через сопротивление Ra. При подаче отрицательного импульса на базу Ti ( или положительного - на базу Т ч) триод Тг начинает проводить ток и на его коллекторе уменьшается отрицательное напряжение. Возникающий при этом положительный импульс напряжения передается через конденсатор С на базу Tz, что способствует развитию лавинообразного процесса опрокидывания, в конце которого триод Т будет открыт, а триод Тг - закрыт. [12]
![]() |
Зависимость угла включения от амплитуды импульса тока управления длительностью. упрЮ мкс. [13] |
В результате распределение плотности тока управления, протекающего через край перехода Js, оказывается существенно неравномерным по его периметру. В тех местах, где эта плотность максимальна, происходит включение структуры. С возрастанием тока управления до определенной величины его плотность по краю перехода / 3 оказывается достаточной для развития лавинообразного процесса даже в местах, где относительная плотность тока управления минимальна. Результаты исследования зависимости длины включенной кромки перехода / 3 от амплитуды / упр для приборов с кольцевым управляющим электродом при различных значениях размера / б к приведены на рис. 2.18. По вертикальной оси отложен угол 6ВКл, под которым виден проводящий край перехода J3 из центра кристалла. [14]
Недостатком рассмотренных ПЛМ является невозможность выборочной перезаписи информации. Введение в МОП-транзистор с лавинной ин-жекцией дополнительного затвора позволяет осуществить выборочную перезапись и исключить из матрицы транзистор выборки. Запись осуществляется как и в ПЛМ на транзисторах с плавающим затвором; положительное напряжение на управляющем затворе способствует развитию лавинообразного процесса, поэтому сокращается время записи информации Стирание осуществляется при большом ( 60 - 90 В) напряжении на управляющем затворе. [15]