Развитие - разряд
Cтраница 4
При этом время развития разряда становится соизмеримым со временем протекания элементарных процессов в плазме, что приводит к отклонению от лавинного ( таунсендовского) и стримерного механизмов ( см. Пробой газа), и даже при протекании больших токов ( - 10 А) разряд остается диффузным, канал дугового разряда не образуется. [47]
Так как скорость развития обратного разряда по крайней мере на один-два порядка выше скорости стримера, время третьей стадии формирования разряда пренебрежимо мало и может не учитываться. Поэтому время формирования разряда практически определяется суммой продолжительностей лавинной и стримерной стадий. [49]
 |
Схематическое устройство камеры Вильсона. [50] |
Принципиальная разница между развитием разряда при низких и высоких давлениях стала очевидной относительно недавно. Вначале созданную английским ученым Таун-сендом для низких давлений газа теорию автоматически распространяли и на высокие давления, получая при этом приемлемые результаты, что следует из аналогии внешнего вида условия самостоятельности разряда в этих двух случаях. [51]
Время, необходимое для развития разряда, в этом случае невелико ( десятки или сотни микросекунд), а разрядные напряжения загрязненных и увлажненных изоляторов практически такие же, как у сухих изоляторов и слабо зависят от их конфигурации. [52]
Согласно теории Таунсенда, развитие разряда, сопровождаемое увеличением разрядного тока, происходит, пока число электронов каждой последующей лавины электронов, выходящих из катода путем - [ - - процессов, больше, чем в предшествующей. Последовательные лавины как бы постепенно раскачивают друг друга. Таким образом, время формирования разряда, равное времени раскачивания электронных лавин, должно равняться времени прохождения нескольких лавин от катода до анода, включая каждый раз время на обратное движение положительных ионов от анода до катода. Это время, как показывают расчеты, должно быть при обычных размерах разрядных трубок порядка 10 - 5 секунды. [53]
Время, необходимое для развития разряда, в этом случае невелико ( десятки или сотни микросекунд), а разрядные напряжения загрязненных и увлажненных изоляторов практически такие же, как у сухих изоляторов и слабо зависят от их конфигурации. [54]
Длительность пика соответствует времени развития разряда в разряднике. Энергия этого пика, выраженная в эргах, для многократного испытания одиночным импульсом дана в таблице. [55]
 |
Допустимые по радиопомехам амплитуды максимальной напряженности. [56] |
Для изучения общих закономерностей развития разрядов вдоль поверхностей твердого диэлектрика, необходимых для ] рациональ-ного конструирования изоляторов, используют простейшие изоляционные конструкции с однородными и резконеоднородными полями и с разным положением и состоянием поверхности твердого диэлектрика. [57]
 |
Искажение напряженности поля. [58] |
В резконеоднородных полях условия развития разряда совершенно другие. Объем-ные заряды, создаваемые предварительной ионизацией, оказывают существенное влияние на процесс дальнейшего развития разряда, поэтому с ними необходимо считаться. [59]
 |
Геометрические факторы. a - g ( дх. б - g [ ( а - f Sl. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5