Развитие - схемотехника
Cтраница 1
Развитие схемотехники управления биполярными накопителями возможно в направлении более широкого использования ЭСЛ-схем, а также замены ТТЛ-схем, в том числе ТТЛ-схем с диодами Шоттки, более эффективными инжекционными схемами с диодами Шоттки. [1]
Развитие тиристорной импульсной схемотехники обусловлено значительными преимуществами тиристоров перед транзисторами, работающими в импульсном режиме. [2]
Анализ развития схемотехники логических ИМС показывает, что в настоящее время не существует схемотехнического базиса, в полной мере отвечающего всем основным требованиям системотехники по быстродействию, мощности рассеивания, плотности упаковки и технологичности. Любая из известных схем, превосходя остальные по одному или нескольким параметрам, проигрывает им по другим параметрам. Очевидно, этим обстоятельством объясняется наличие большого числа схем, используемых для построения ИМС, а следовательно, и большого числа структурно-топологических решений базовых элементов. [3]
Существующее положение и развитие схемотехники БИС позволяют предполагать, что в будущем найдут применение как БИС на МОП-транзисторах, так и БИС на биполярных транзисторах. [4]
Разработка флэш-памяти ( Flash-Memory) считается кульминацией десятилетнего развития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации. [5]
Создание структур с комбинированной изоляцией ( изопланар, V-ATE и VIP) было стимулировано развитием схемотехники биполярной памяти. [6]
Для компьютеров реального времени, которые, прежде всего, должны отличаться высокой достоверностью обработки информации, проблема охвата непрерывным и достоверным контролем их аппаратуры является центральной. Тщательное изучение качественных изменений развития компьютерной схемотехники позволяет выявить тенденцию эволюционного увеличения доли контрольных функций ( и соответственно, контрольной аппаратуры) в элементной базе компьютеров от поколения к поколению. Эта тенденция ( имеет ступенчатый, скачкообразный характер) справедлива и для ИС. Проявляется она в создании сначала самотестирующихся, затем самоконтролирующихся и, в перспективе, самокорректирующихся ИС. Быстрые количественные изменения СБИС имеют тенденцию к переходу в качественные. На конечном этапе развития переход к качественному скачку будет состоять в совмещении в единое целое рабочих, контрольных, диагностических и корректирующих процессов, что приведет к созданию естественно - надежных узлов, устройств и, соответственно, компьютеров в целом. Этот вывод важен для выбора принципов построения схемотехнической и элементной базы КНП. [7]
За последние годы значительно расширена номенклатура и повышено качество как ОУ общего применения, так и микромощных, быстродействующих, прецизионные и других ОУ. Благодаря совершенствованию технологии и развитию схемотехники достигнуто повышение коэффициента усиления и коэффициента подавления синфазного сигнала, расширен частотный диапазон, повышено быстродействие и входное сопротивление, уменьшены входные токи и их разности, обеспечена защита выходных каскадов млогих ОУ от перегрузки при коротком замыкании в нагрузке. [8]
В 1986 г. начался коммерческий выпуск ИС динамических ЗУПВ емкостью 1 Мбит, а в стадии лабораторной проработки находились первые ИС динамических ЗУПВ емкостью 4 Мбит, начало производства которых намечалось на 1988 г. В ситуациях, где превалировали экономические соображения, в 1986 г. ИС динамических ЗУПВ емкостью 256К бит оказались предпочтительнее по сравнению с ИС динамических ЗУПВ емкостью 64К бит, объем продажи которых с этого времени начинает снижаться. Если существующие на сегодня темпы развития схемотехники сохранятся, в 1990 г. начнется уменьшение объемов сбыта динамических ЗУПВ-ИС емкостью 256К бит, которые будут уступать место элементам, содержащим 1 Мбит. [9]
 |
Панель системы автоматизации программирования обработки тел вращения. [10] |
Описанная диалоговая САП требует разработки достаточно мощного математического обеспечения. Аппаратно-программная реализация всех функций САП при современном уровне развития схемотехники позволяет создать весьма компактное устройство. [11]
Непрерывное ужесточение и разнообразие требований одновременно к точности, быстродействию и энергопотреблению выполнения аналоговых операций в электронной аппаратуре уже не могут обеспечиваться за счет применения АИС и расширения их номенклатуры. Чтобы с максимальной эффективностью проектировать и применять АИС, необходимо уметь выбирать из всего многообразия их типов и структур лучшие и достигать в них предельные сочетания точности, быстродействия и потребления для данного уровня развития схемотехники и технологии ИС. Решение подобных задач уже не представляет большого труда для разработчиков цифровой аппаратуры, которые развили аппарат логического проектирования и ввели обобщенные морфологические показатели качества [23], В то же время, для АИС не определены обобщенные критерии оценки качества и способы оптимизации параметров, позволяющие выявить и реализовать резервы совершенствования их технического уровня независимо от степени интеграции элементов и функций в них. В этом параграфе показано, как с помощью введенных информационно-энергетических показателей можно привести частные технические характеристики различных типов АИС к единой системе параметров, дать обобщенную количественную оценку технического уровня АИС общего применения и определить наиболее перспективные направления их совершенствования и развития. [12]
Этот путь был неприемлем на ранних этапах развития микроэлектроники, так как для ИМС малой степени интеграции помехоустойчивость являлась одним из главных параметров. На этапе создания БИС и особенно СБИС помехоустойчивость внутренних элементов не является определяющим параметром. Поэтому снижение напряжения питания является одной из основных тенденций развития схемотехники. [13]
Главные цели любого схемотехнического проектирования заключаются в повышении быстродействия, уменьшении площади микросхем, снижении потребляемой мощности и стоимости, числа активных и пассивных элементов на кристалле кремния, повышении отказоустойчивости и долговечности, расширении диапазона отклонений от нормы напряжения питания и температуры окружающей среды, обеспечении совместимости уровней входных и выходных сигналов с ТТЛ-уровнями. Достигаются эти цели и на основе принципиально новых технологических решений. Например, простое уменьшение размеров активных элементов - транзисторов в технологии производства полупроводниковых планарно-эпитак-сиальных микросхем позволяет улучшить быстродействие и сохранить при этом приемлемую потребляемую мощность. Однако совершенствование технологии происходит гораздо медленнее, чем развитие схемотехники, и установлено, что схемотехническими методами можно добиться лучших показателей намного быстрее, чем технологическими методами. [14]
В каждом из трех видов микросхем существуют преемственно раз - Внвающиеся серии. Каждая группа микросхем ( к примеру, счетчиков, регистров) имеет сейчас много схемотехнических применений. Варианты цймотехннки отображают как ход развития микросхем, так и расши - Миие запросов потребителей. Вдумчивый читатель может проследить вуть развития схемотехники от простейших микросхем до современных ц перспективных. [15]
Страницы: 1