Развитие - полупроводниковая электроника
Cтраница 1
Развитие полупроводниковой электроники практически берет свое начало с 1900 г., когда А. С. Попов использовал в своем приемнике кристаллический детектор, состоящий из пластинки графита и острой металлической иглы. [1]
Развитие полупроводниковой электроники происходит так стремительно, что технологические процессы и соответствующее оборудование быстро устаревают. Поэтому внимание читателя обращено не столько на существующие технологические процессы и конкретные способы изготовления тех или иных материалов, сколько на общие положения материаловедения, позволяющие выделить различные факторы, влияющие на протекание и результаты этих процессов. Главное внимание уделено методам, позволяющим управлять зависимостью состав - структура - свойства кристаллов полупроводниковых материалов. [2]
Развитие полупроводниковой электроники идет весьма интенсивно и в нашей стране, о чем свидетельствует присуждение в 2000 г. Нобелевской премии академику Ж. И. Алферову за исследование гетеропереходов, разработку технологии их формирования и за организацию производства полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов. [3]
Развитие полупроводниковой электроники вызвало такую лавину фактов, идей и рекомендаций, за которой трудно угнаться самым активным любителям обобщений в техническом прогрессе, Это относится, в частности, к технологии полупроводниковых приборов, которая за период 1955 - 1960 гг. прошла путь от кустарных приемов до автоматизированных операций изготовления. Высокие темпы прогресса полупроводниковой электроники приводят к тому, что отечественные и зарубежные ученые не успевают создавать полноценные труды по вопросам производства полупроводниковых приборов. Попыткой частично ликвидировать этот пробел является выпуск настоящей книги, входящей в серию Полупроводниковые приборы и материалы и составленной из отдельных глав тт. [4]
С развитием полупроводниковой электроники появились эмиттерные повторители на составных транзисторах, которые обеспечивают такие малые выходные сопротивления, что стало возможным без согласующих устройств непосредственно соединять их выходные выводы с низко-омной нагрузкой. Эти бестрансформаторные двухтактные усилители мощности широко применяются не только в интегральных усилителях и ОУ. Они практически вытеснили схемы с трансформаторами в аппаратуре обычного применения. [5]
Современный этап развития полупроводниковой электроники характеризуется в нашей стране большим объемом научно-исследовательских и технологических работ, направленных на дальнейшее совершенствование имеющихся и создание новых полупроводниковых приборов. [6]
Современный этап развития полупроводниковой электроники характеризуется созданием широкой номенклатуры и массовым выпуском интегральных микросхем с быстро растущей степенью интеграции и непрерывно совершенствующихся дискретных полупроводниковых приборов. Интегральные схемы занимают доминирующее положение в вычислительной технике и системах обработки информации. [7]
Современный этап развития полупроводниковой электроники характеризуется в нашей стране большим объемом научно-исследовательских и технологических работ, направленных на дальнейшее совершенствование имеющихся и создание новых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. [8]
Прогресс в развитии полупроводниковой электроники связан с использованием контакта двух примесных полупроводников с различным типом проводимости. [9]
 |
Получение р-п перехода методом сплавления. [10] |
Прогресс в развитии полупроводниковой электроники связан в основном с использованием контакта двух примесных лолупроводников с различным типом проводимости. Такой контакт называют электронно-дырочным переходом или р-п переходом. [11]
Одним из важнейших аспектов развития полупроводниковой электроники является материаловедение полупроводников. Так, требования к кремнию, предъявляемые технологией СБИС, сейчас пока еще превышают возможности методов получения этого материала по таким параметрам, как диапазон изменения удельного сопротивления кремния п - и р-типов, однородность легирования, содержание примесей углерода, кислорода, тяжелых металлов. Требования в отношении одной из главных характеристик полупроводника - времени жизни неосновных носителей заряда i ( которое в лучших образцах кремния составляет около 500 мкс) - не выполняются; разработчикам СБИС необходимо иметь т до 1000 мкс. [12]
Одной из основных тенденций развития полупроводниковой электроники является уменьшение размеров полупроводниковых приборов и повышение степени интеграции интегральных микросхем. [13]
Получение новых полупроводниковых материалов необходимо как для развития прикладной полупроводниковой электроники, так и для изучения зависимостей основных свойств от их химического состава. Сначала необходимо, очевидно, отыскать сочетание разнородных атомов, благодаря которому можно получить фазы с полупроводниковыми свойствами. Далее, изготовив достаточно большое количество таких синтетических материалов и изучив их свойства, можно попытаться установить закономерности изменения их свойств от химического состава и структуры. [14]
Большинство достижений современной научно-технической революции связано с развитием полупроводниковой электроники. Она позволила создать приборы, действие которых выходит далеко за рамки возможностей классической вакуумной электроники. [15]
Страницы: 1 2