Наибольшее развитие

Cтраница 3

Наибольшее развитие диффузный слой получает при очень малых концентрациях электролита в растворе. Причиной этого является тепловое движение ионов, под действием которого они стремятся равномерно распределиться во всем объеме жидкости. В этом случае С-потенциал достигает максимальных значений. Одновременно происходит переход части противоионов в адсорбционный слой и С-потенциал уменьшается. [31]

Наибольшее развитие получила проблема синтаксического анализа грамматик и контроля соответствующих им языков, состоящая в том, что для любой цепочки caeL определяется ее формальная правильность ( или неправильность) и производится синтаксический разбор. [32]

Эвива-лентная динамическая схема обмотки трансформатора при анализе воздействия изменяющихся во времени осевых электромагнитных сил. [33]

Наибольшее развитие в настоящее время получили исследования динамических процессов в обмотках при воздействии осевых сил, тогда как динамические процессы при воздействии радиальных сил не имеют пока совершенного аналитического описания. [34]

Наибольшее развитие вопросы управления качеством продукции получили на предприятиях, там накоплен значительный опыт системного подхода к управлению качеством. [35]

Наибольшее развитие получили производственные кооперативы, в которых работает 9 4 тыс.чел. Как правило, кооперативам отдали убыточные и малорентабельные цехи, участки, производства. Кооперативы свою продукцию реализуют в основном по оптовым ценам в пределах установленного договором объема поставок и лишь сверхплановую продукцию - по договорным ценам. Еще раз подчеркнем, что организация кооперативов при предприятиях и подконтрольность их деятельности позволяют избежать ряда негативных моментов, связанных с нетрудовыми доходами. [36]

Наибольшее развитие помольно-обогатительные заводы, обслуживающие силикатную промышленность, получили в США. В зависимости от свойств сырья и предъявляемых к обогащенному продукту требований эти заводы работают по разным технологическим схемам. Ввиде иллюстрации приводим типичные технологические схемы двух заводов. [37]

Наибольшее развитие электроотопление получило в Норвегии, имеющей мало топлива и много гидроресурсов. Развитая сеть гидроэлектростанций позволяет применять непосредственное электроотопление в возрастающих масштабах, а специально составленный тариф стимулирует уменьшение одновременно потребляемой мощности с увеличением числа часов использования этой нагрузки. [38]

Наибольшее развитие получила тематика, связанная с вопросами очистки сточных вод, главным образом сточных вод различных отраслей промышленности. Объясняется это развитием промышленного строительства и большим количеством запросов, связанных с разрешением практических задач канализования предприятий. [39]

Наибольшее развитие получили методы лине и н о г о программирован н я. Задачи, решаемые с помощью этих методов, носят экстремальный характер, так как результатом решения является нахождение максимума или минимума какой-то величины, называемой целевой функцией. В качестве целевой функции можно принимать максимум прибыли, максимум выработки товарной продукции, минимум затрат и др. Выбор целевой функции зависит от цели задачи. [40]

Наибольшее развитие в настоящее время получила интегральная микроэлектроника, на базе которой разработаны и освоены в серийном производстве многие типы интегральных микросхем. Развитие функциональной микроэлектроники только началось и перспективы ее весьма заманчивы. [41]

Наибольшее развитие и возрастающее применение получают схемы с ППТ, работающими в режиме переключения. [42]

Последовательность процесса вытяжки резино-жидкостной матрицей.| Схема установки для гидравличе. Da Для гидромеханической ВЫТЯЖКИ, ской вытяжки Вытяжка производится с противодав. [43]

Наибольшее развитие получил так называемый гидромеханический способ вытяжки, применяемый для изготовления цилиндрических, сфериче ских, конических и других изделий. [44]

Наибольшее развитие такие системы получили в ФРГ, где была разработана так называемая трансидинная система, базирующаяся на использовании однотипных полупроводниковых блоков-регуляторов. [45]

Страницы: 1 2 3 4