Cтраница 2
Согласно [322] монокристаллы сплавов при малых величинах напряжений и концентраций твердого раствора менее чувствительны, а при высоких значениях напряжений и концентраций твердого раствора более чувствительны к коррозии под напряжением, чем поликристаллы тех же сплавов. [16]
Из предыдущего исследования напрашивается предположение, что при малой величине напряжения на дуге апериодическая слагающая облегчает процесс гашения, а при большой величине напряжения на дуге, наоборот, апериодическая слагающая утяжеляет процесс гашения. Возможно поэтому, что влияние апериодической слагающей тока зависит от типа выключателя. [17]
Трансформаторы с переключающими устройствами реакторного типа, выпущенные американскими и некоторыми английскими фирмами, обычно имеют малые величины напряжения ступени. [18]
![]() |
Внешний вид прибора М128.| Принципиальная схема прибора М128. [19] |
Переносные одиннадцатипредельные показывающие приборы ( рис. 92 и 93) магнитоэлектрической системы, предназначенные для измерения малых величин напряжения в цепях постоянного тока. [20]
Я мала в первом случае за счет малой величины тока /, а во втором - за счет малой величины напряжения U. Очевидно, что максимум полезной мощности создается в каком-то промежуточном режиме. [21]
Наиболее простыми являются расчеты на ползучесть при использовании зависимости ( 14.28 в), хотя она не выполняется при малых величинах активного напряжения. [22]
Милливольтметр MB-150 / 5 переносный, класс точности 0 5 с пределом измерения 0 - 150 мв, магнитоэлектрической системы, применяется для измерения малых величин напряжения постоянного тока. [23]
Милливольтметр MB-150 / 5 переносный, класс точности 0 5с пределом измерения 0 - 150 л 0, магнитоэлектрической системы, применяется для измерения малых величин напряжения постоянного тока. [24]
Исследованием некоторых случаев усталостных разрушений в трубопроводах, имеющих место в авиационных гидравлических и топливных системах, было обнаружено, что усталостные-трещины возникали при незначительной вибрации и малых величинах вибрационных напряжений. [25]
В точке стеклования Тс при дальнейшем повышении температуры совершается переход в область / / / ( см. рис. 12.10), которая характеризуется высокоэластическими деформациями, начинающимися, как отмечено, при малых величинах напряжения. Область высокоэластических деформаций неблагоприятна для текстильных волокон. Это объясняется тем, что, во-первых, в этой области модули волокон очень низки и ткань легко деформируется при малых натяжениях и, во-вторых, в области высокой эластичности неравновесный характер волокон особенно проявляется в виде необратимых деформаций. [26]
По показаниям тензометров выявляют участки поверхности, подвергающиеся наиболее высоким растягивающим напряжениям и, следовательно, нуждающихся в усилении. Малая величина напряжений или отсутствие напряжений указывают на возможность облегчения детали на данных участках. [27]
По аналогии с металлическим листовым прокатом диапазон усилия съема неметаллических материалов принимают в зависимости от относительной ширины перемычек. Учитывая малую величину напряжения на срез ( в среднем аср 50 - r - lOO МПа), приведенные выше относительные усилия съема материала с пуансона практически незначительны. [28]
Часто поверхностные пленки препятствуют нормальной работе контактного узла. При малых величинах напряжения контакты с, пленками не замыкают электрической цепи. Чтобы контакты замкнулись, необходимо разрушить находящиеся на их поверхности пленки. Электрический пробой, вызывающий разрушение связей в диэлектрике, называют фриттингом. Если при пробое возникает напряжение, вызывающее плавление хотя бы одного из контактов, то говорят о так называемом А-фриттинге. Если напряжение, при котором происходит пробой, слишком мало, чтобы вызвать плавление одного или обоих контактов, то говорят о 5 - ф риттинге. [29]
Один из вариантов такой схемы, называемой схемой с эмиттерным конденсатором, показан на рис. 5.121. После включения источников питания - Е и ЕЪ в схеме начинается процесс заряда конденсатора С от источника - - Ея через резистор Кэ. Когда напряжение на конденсаторе превысит малую величину напряжения отсечки e0g, появляется прямой ток эмиттерного перехода транзистора Т, транзистор оказывается в активном режиме. Благодаря глубокой трансформаторной обратной связи между базовой и коллекторной цепями транзистора развивается лавинный процесс, завершающийся насыщением транзистора. [30]