Cтраница 1
Достаточно малые величины w могут быть получены только в транзисторах, изготовленных с помощью диффузии или эпитаксиального выращивания, поэтому в качестве мощных высокочастотных транзисторов могут использоваться только такие приборы. Получение тонких баз в сплавных транзисторах технологически весьма сложно, да и если бы их можно было получить, то использование таких транзисторов было бы нецелесообразно из-за низкого напряжения прокола. [1]
При достаточно малой величине постоянной времени т этот начальный период непродолжителен, и уже поэтому возможные уходы системы ограничиваются, кроме того, их ограничивает действие коммутатора. [2]
При достаточно малой величине со ( Тп - Т0) члены разложения высших порядков можно отбросить. [3]
При достаточно малой величине ш по сравнению с обратным сопротивлением диодов или входным сопротивлением транзисторов напряжения на них, а следовательно, и на полупроводниковых приборах будут равны. [5]
При выборе достаточно малой величины емкости связи ( 20 - f - 4 - 40 пф - на дв и ев и 10 - н 20 пф - на кв) влияние антенны в такой схеме мало сказывается на избирательности и настройке контура. [7]
![]() |
К определению эффективной длительности строб-импульса. [8] |
Однако при достаточно малой величине сигнала изменение длительности незначительно и его можно не учитывать. Критерий достаточной малости сигнала, связанный с отсутствием нелинейных искажений, будет установлен несколько позже. [9]
Чтобы аир были достаточно малыми величинами, нужно выбрать в качестве v тот корень уравнения (15.7.3), который дальше отстоит от нуля. [10]
Дой а eft - достаточно малые величины, разные для различных площадок. [11]
Здесь р0 - произвольная достаточно малая величина. [12]
Рип - заранее заданная достаточно малая величина, определяемая исходя из требований к безаварийности технологического процесса. [13]
Рип - заранее заданная достаточно малая величина, определяемая исходя из требований к безаварийности технологического процесса. [14]
Для правильных измерений необходима достаточно малая величина переменного напряжения на диоде в процессе измерения. [15]