Слишком малая величина

Cтраница 3

Действительно, поскольку k должен находиться вблизи / ( иначе f) k превратится в слишком малую величину), расстояние между / и s очень велико. [31]

Для исследования адсорбции пара вещества, находящегося вблизи комнатной тенпературы в жидком состоянии, очень удобен, а при не слишком малых величинах удельной поверхности адсорбента s и достаточно точен, метод капиллярной жидкостной микробюретки. Этим методом определяют величину адсорбции с помощью измерения положения мениска жидкости в капилляре до и после адсорбции. [32]

Однако при осевом затыловании в точках, где линия профиля параллельна оси фрезы или наклонена к ней под малым углом, получается слишком малая величина заднего угла. [33]

У всех ядов это время т сравнительно велико по отношению к т нормальных ( неядовитых) адсорбированных веществ; в самом деле, именно благодаря большой продолжительности жизни, которая выражается в слишком малой величине отношения десорбции к адсорбции, яд закрывает поверхность, постепенно накапливаясь в адсорбированном состоянии ( даже если он присутствовал только в виде следов); наконец, в предельном случае, при продолжительности жизни адсорбированных частиц, равной бесконечности, любой яд, присутствующий в количестве, недостаточном для насыщения поверхности, будет накапливаться на ней, так как скорость десорбции равна нулю. Ввиду тесной связи между продолжительностью жизни адсорбированной частицы и распределением яда между адсорбционной и свободной - жидкой или газовой - фазами возможно совсем исключить этот фактор т путем определения коэффициента распределения яда между фазами и, следовательно, его действительной концентрации на каталитической поверхности. [34]

Эти условия, очевидно, выполняются, если можно выбрать достаточно большое число N подынтегралов статистической независимости ( Atft Th 1 - ть), таких, что за время от 0 до IN значение весовой функции не упадет до слишком малой величины. [35]

При уточнении оптимума функции методом наискорейшего спуска погрешность сначала уменьшается с увеличением количества шагов в направлении градиента, а затем уточняемые значения колеблются около точки истинного значения оптимума, как во всех итерационных методах, поэтому выбирать допустимую погрешность е слишком малой величины не имеет смысла. [36]

Эти условия, по-видимому, выполняются, если можно выбрать достаточно большое число N подынтервалов статистической независимости Дтя тя 1 - т, таких, что за время от 0 до т значение функции h ( т) не упадет до слишком малой величины. [37]

Экспериментально установлено, что установившаяся волна детонации распространяется с постоянной скоростью, в значительной степени зависящей от состава горючей смеси; материал трубки не оказывает влияния на скорость волны детонации; скорость детонации не зависит от диаметра трубки, если он не имеет слишком малой величины; начальная температура горючей смеси практически не влияет на скорость детонации. [38]

Ориентировочно для чернового зубонарезания на полуавтомате мод. Слишком малые величины подачи вызывают преждевременный износ фрезы. Установка выбранной величины подачи осуществляется путем переключения электромагнитных муфт коробки подач. [40]

Выбор необходимой и достаточной величины запаса устойчивости представляет собой весьма ответственное дело. Слишком малая величина запаса устойчивости т сделает сосуд ненадежным в работе, слишком большая - тяжелым и дорогим. [41]

Если их использовать для вычисления величины D по формуле ( 44), то для иона Сг2 в решетке CrSO4 - 5H2O получаем D - 1 2 см 1, а для иона Мп3 в решетке ТЮ2 D - 0 5 см-г. Слишком малая величина рассчитанных параметров D обусловлена тем, что при расчете пренебрегали вкладом от возбужденного состояния 3TZg, которое возникает, если все четыре электрона находятся на орбиталях симметрии tis. Энергия этого состояния, вероятно, не очень велика, так как в сильном кристаллическом поле оно становится основным состоянием. [42]

Влияние рассеяния электронов на форму характеристики при прохождении сквозь одну ( а, две ( б и три ( в сетки пентода. [43]

Для подавления влияния вторичной эмиссии этот максимум потенциала должен быть возможно более низким, что может быть осуществлено путем уменьшения шага третьей сетки и приближения ее к аноду. Однако слишком малая величина шага этой сетки ведет, как будет показано дальше, к росту тока экранирующей сетки за счет возврата электронов третьей сеткой. [44]

Анодно-катодное расстояние при хромировании поверхностей с одинаковым очертанием детали и анода желательно сократить. Однако слишком малая величина анодно-катодного расстояния недопустима, так как при высоких плотностях тока и небольшом объеме электролита, заключенного между электродами, происходит сильное насыщение его верхних слоев газообразным водородом ( фиг. [45]

Страницы: 1 2 3 4