Пространственное разделение - канал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Умный мужчина старается не давать женщине поводов для обид, но умной женщине, для того чтобы обидеться, поводы и не нужны. Законы Мерфи (еще...)

Пространственное разделение - канал

Cтраница 2


Структурные схемы АТСЭ с пространственным разделением каналов практически ничем не отличаются от структурных схем АТСКЭ малой емкости. Построение тракта передачи на электронных элементах в АТСЭ с пространственным разделением связано-со значительными трудностями, о которых будет сказано в дальнейшем, поэтому в данное время строятся АТСЭ с пространственным разделением только малой емкости и в основном для учрежденческих АТС.  [16]

Функциональные схемы АТСЭ с пространственным разделением каналов практически не отличаются от функциональных схем АТСКЭ малой емкости. Внутристанционный тракт передачи АТСЭ с пространственным разделением каналов строится с помощью разделительных трансформаторов. Поскольку электронные приборы тракта вносят обычно большое затухание, в КСЛ вводятся усилители. Обычно тракт выполняется несимметричным по отношению к земле, т.е. коммутируется только один провод. В электронной АТС применяют различные виды модуляции, но во всех случаях требуется преобразование тональных сигналов в импульсные на одной стороне тракта и обратное преобразование импульсных сигналов в тональные на другой его стороне.  [17]

Структурные схемы АТСЭ с пространственным разделением каналов практически не отличаются от структурных схем АТСКЭ малой емкости.  [18]

Рассмотренные схемы электронных соединителей с пространственным разделением каналов достаточно просты по устройству и при создании схем электронных АТС позволяют использовать многие принципы построения существующих электромеханических АТС. Во всех этих схемах по существу произведена замена механических контактов соединителей на электронные контакты.  [19]

Аналоговое КП может быть с пространственным разделением каналов, построенным на герконах ( гезаконах) или электронных элементах, либо с временным разделением каналов на основе АИМ.  [20]

Коммутационные поля электронных АТС с пространственным разделением каналов принципиально могут быть построены на любых полупроводниковых и электронных приборах.  [21]

Внутристанционный тракт передачи АТСЭ с пространственным разделением каналов строится с помощью разделительных трансформаторов и так как электронные приборы тракта вносят, как правило, большое затухание, то в КСЛ вводят усилители.  [22]

23 Принцип импульоно-временнбго разделения. [23]

В настоящее время электронные АТС с пространственным разделением каналов разрабатываются на небольшую емкость - до 100 номеров. Предельная емкость АТС, построенных на данном принципе, зависит от качества электронного контакта. Чем оно выше, тем большее число ступеней искания может иметь система и тем, следовательно, выше ее предельная емкость.  [24]

Принцип построения коммутационных схем ЭАТС с пространственным разделением каналов, как видно из рассмотренных примеров, аналогичен принципу построения коммутационных схем координатных АТС. Однако в случае электронных АТС количество звеньев коммутационной схемы ограничено параметрами электронного контакта по вносимому затуханию; емкости коммутаторов ограничиваются параметрами ЭК, по переходному затуханию.  [25]

26 Схемы электронных контактов на четьгрехслойных полупроводниковых приборах.| Параметры тиристорного ЭК. [26]

Наиболее перспективны для электронных КП с пространственным разделением каналов тиристорные ЭК.  [27]

В динамических ЦОУ для сокращения количества соединений пространственное разделение каналов заменяется временным разделением. В обычной линии связи такая замена ведет к сокращению пропускной способности, однако в ЦОУ ограничивается конечным звеном - оператором. Инерционные свойства зрительной системы позволяют выводить динамический сигнал непосредственно на индикаторы.  [28]

На величину переходного затухания в ЭАТС с пространственным разделением каналов основное влияние оказывает сопротивление ЭК в разомкнутом состоянии.  [29]

30 Электронный контакт. а - на транзисторах. б - на тиратронах. [30]



Страницы:      1    2    3    4    5