Размер - критические зародыш
Cтраница 2
Исп - энтропия испарения, можно заключить, что материалы с высокой температурой мнения обладают большим значением AGV. Следовательно, размеры критических зародышей должны уменьшаться с повышением температуры кипения вещества пленки. [16]
 |
Тип кристаллизатора, применяемого для изучения вторичного за-родышеобразования. [17] |
Те, что имеют размеры меньше критических, - растворяются, а остальные продолжают расти. Чем выше пересыщение, тем меньше размеры критических зародышей и тем больше число частиц превращается во вторичные центры кристаллизации. [18]
Разность ( fii - ( i2) является мерой ( пересыщения. Поскольку nk и AZmax обратно пропорциональны ей, то при небольших пересыщениях размеры критических зародышей велики, а вероят - - ность их возникновения мала. [19]
 |
Изменение изобарно-изо-термического потенциала реакций восстановления галогенидов рения и ниобия водородом в зависимости от степени использования галогени-дои. [20] |
Для практики наибольший интерес представляют большие пересыщения, соответствующие более высоким скоростям осаждения. Если рассчитать для средних величин пересыщения 2 - 3 эв ( 46 - 69 ккал / моль) размер критических зародышей по Странскому [7] в случае двумерного зарождения, то получаются очень малые значения размеров критического зародыша. [21]
Возможны и такие случаи, когда коагуляция двух частиц термодинамически невыгодна из-за малой глубины потенциальной ямы, тогда как образование большого агрегата, в котором каждая частица соединена с несколькими другими и суммарная глубина эффективной ямы оказывается большой, становится термодинамически выгодным процессом. Теоретический анализ такого процесса коагуляции может, вообще говоря, использовать подход, сходный с методами теории образования новых фаз ( Мартынов, Муллер); численные оценки показывают, впрочем, что размеры критических зародышей коагуляции обычно очень малы. [22]
Высокое фазовое перенапряжение является необходимым условием выбора подложки для выращивания монокристаллов. Критическая концентрация адатомов, при которой возникают зародыши, составляет несколько процентов от монослоя. Размеры критических зародышей колеблются в пределах от единиц до ста атомов. [23]
Возникновение зародышей новой фазы ( СаО) сильно тормозится небольшой подвижностью ионов в решетке. Поэтому размеры критических зародышей и образующихся кристаллов будут малы, а возникающая новая фаза будет находиться в весьма дисперсном состоянии. Повышенная энергия Гиббса свидетельствует о метастабильности новой фазы, что обусловливает появление ложных равновесий. [24]
Накопление ионов О2 - в поверхностном слое карбоната кальция приведет через короткое время к образованию пересыщенного раствора СаО в СаСОз, так как растворимость первого в последнем невелика. Однако возникновение зародышей новой фазы ( СаО) будет сильно тормозиться небольшой подвижностью ионов в решетке. В силу этого размеры критических зародышей и величина образующихся кристаллов будут малы, а возникающая новая фаза будет находиться в весьма дисперсном состоянии. Повышенный изобарный потенциал делает ее метастабильной, что обусловливает появление ложных равновесий. [25]
Страницы: 1 2