Размер - критический зародыш
Cтраница 2
Перед началом расчета был оценен размер критического зародыша и его изменение в процессе конденсации. [16]
 |
Качественная зависимость частоты зародышеобразования от степени пересыщения. [17] |
С - постоянная, содержащая размер критического зародыша и дру. [18]
При высоких пересыщениях, когда размер критического зародыша мал, выделение единичных атомов вольфрама наиболее вероятно на всех участках, где адсорбирован водород. Число таких участков уменьшается с ростом температуры подложки и с уменьшением парциального давления водорода. Малая плотность участков с теп-лотами адсорбции, лежащими внутри значений контролирующей полосы теплот адсорбции ( см. рис. 26), определяет и низкую плотность зародышей тугоплавкого металла и, как следствие, приводит к тому, что сплошное покрытие образуется при относительно больших толщинах покрытия при смыкании разрастающихся трехмерных частиц на поверхности подложки. [19]
Зародыши, размеры которых меньше размера критического зародыша, растворяются; более крупные - растут. [20]
 |
Схема роста кристаллов. [21] |
При температуре, близкой к Тпл размер критического зародыша должен быть очень велик и вероятность его образования мала. С увеличением степени переохлаждения Д / возрастает ( см. рис. 16), а поверхностное натяжение на границе раздела фаз изменяется не значительно. [22]
Как следует из ( 3), размер критического зародыша зависит от у и ДОу, которые определяются геометрией и энергетикой ближнего порядка. [23]
При температуре, близкой к Тп, размер критического зародыша должен быть очень велик и вероятность его образования мала. С увеличением степени переохлаждения, величина & GV возрастает ( см. рис. 18), а величина поверхностного натяжения на границе раздела фаз изменяется незначительно. [24]
При температуре, близкой к ТПЛ, размер критического зародыша должен быть очень велик и вероятность его образования мала С увеличением степени переохлаждения Д / возрастает ( см. рис. 16), а поверхностное натяжение на границе раздела фаз изменяется незначительно. [25]
При температуре, близкой к гп, размер критического зародыша должен быть очень велик и вероятность его образования мала. С увеличением степени переохлаждения величина A f возрастает ( см. рис. 17), а величина поверхностного натяжения на границе раздела фаз изменяется незначительно. [26]
 |
Схема роста кристаллов. я - с образованием двумерного зародыша. б - при наличии винтовой дислокации. [27] |
При температуре, близкой к ГПл, размер критического зародыша должен быть очень велик и вероятность его образования мала. С увеличением степени переохлаждения величина Д / возрастает ( см. рис. 17), а величина поверхностного натяжения на границе раздела фаз изменяется незначительно. [28]
 |
Схема рост. ] кристаллов. [29] |
При температуре, близкой к Гпл, размер критического зародыша должен быть очень велик и вероятность его образования мала С увеличением степени переохлаждения Д / возрастает ( см. рис. 16), а поверхностное натяжение на границе раздела фаз изменяется не значительно. [30]
Страницы: 1 2 3 4