Cтраница 2
На рис. 1 схематически показана конструкция прибора. На этом же рисунке приведены геометрические размеры прибора и выбранные оси координат. Координата светового пятна отсчитывается от его центра. [16]
Для измерений вязкости, как правило, используют относительные вискозиметры, с помощью которых производят определение вязкости исследуемой жидкости относительно вязкости эталонной жидкости ( чаще воды), значение которой входит в постоянную сосуда. Таким образом, отпадает необходимость учета геометрических размеров прибора. [17]
Если теперь открыть кран, то начнется проникновение одного газ а в другой путем диффузии. Из данных анализа, времени опыта и из геометрических размеров прибора можно вычислить коэффициент диффузии одного газа в другой. [18]
Если теперь открыть кран, то начнется проникновение одного газа в другой путем диффузии. Из данных анализа, времени опыта и из геометрических размеров прибора можно вычислить коэффициент диффузии одного газа в другой. [19]
При вычислении коэффициентов вязкости из данных опыта по уравнению ( 8) в него следует внести ряд поправок. Покажем, что для случая, когда измерительный объем и капилляр имеют одинаковую температуру ( как в нашем приборе), поправку на изменение геометрических размеров прибора с температурой вносить не следует. [20]
Множество измеряемых величин, а также широкий диапазон их возможных значений приводят к многообразию принципов, на которых базируется построение радиоэлектронной измерительной аппаратуры. Например, методы измерений и конструкции приборов, осуществляющих измерения в различных частотных диапазонах, могут принципиально отличаться друг от друга. В диапазоне низких частот геометрические размеры прибора много меньше длины волны колебаний, что поззоляет строить измерительную аппаратуру на элементах с сосредоточенными параметрами. На сверхвысоких частотах размеры измерительных элементов средств измерений сравнимы с длиной волны электромагнитных колебаний, а результаты измерения зависят от места подключения прибора, его конструкции и размеров. [21]
Изложение материала в книге соответствует уровню знаний учащихся средних специальных учебных заведений, предусмотренному программами. В тех случаях, когда изложение выходит за рамки этого уровня, даются специальные пояснения. Построение изложения основано на том, что, как правило, сначала поясняются физические принципы работы приборов, а затем дается математическое описание их, достаточное обычно для проведения приближенных расчетов параметров и геометрических размеров приборов. [22]
Ионное легирование применяют также для создания МОП-транзисторов ( металл-окисел-полупроводник) и интегральных схем на их основе, что позволяет свести к минимуму паразитные емкости и повысить частотный предел этих приборов. Благодаря своим специфическим свойствам МОП-транзисторы могут использоваться как в качестве активных, так и в качестве пассивных компонентов ( резисторов) интегральных схем. Кроме того, ионное легирование используют в технологии МОП БИС ( больших интегральных схем) для обеспечения низких пороговых напряжений, более высокой воспроизводимости, повышения процента выхода годных изделий и увеличения их быстродействия, а также для уменьшения геометрических размеров приборов и получения более тонких конфигураций каналов длиной до 0 5 мкм и повышения плотности компонентов. [23]