Cтраница 4
Дискретные резисторы на основе тонких пленок, по сравнению с объемными резисторами полупроводниковых микросхем, имеют лучшие параметры и повышенную надежность, в сопоставлении же с прецизионными проволочными резисторами они при сравнимых величинах параметров имеют меньшую стоимость. Тонкопленочные резисторы, что называется, нашли себя в области интегральных микросхем. Резисторы, имеющие наименьшие размеры 130 - 260 мкм, еще могут выгодно конкурировать с тонкими пленками, однако для изготовления прецизионных резисторов с размерами менее 130 мкм использование тонких пленок становится обязательным. [46]
Однако в настоящее время уже нет необходимости прибегать к этому методу, так как хотя в нем и учитывается один из факторов, которые приводят к изменению значений матричных элементов, но другими членами сравнимой величины пренебрегают. АО действительно меньше одноцентровых интегралов ( И, И), но они входят в уравнение (3.92) с коэффициентом, который в два раза больше коэффициента при одноцентровых интегралах. Кроме того, в таком рассмотрении совершенно игнорируются существенные погрешности, возникающие вследствие предположения Хюккеля о постоянстве значений недиагональных элементов. Последняя серьезная ошибка возникает при расчетах энергии молекул; в методе Хюккеля нашим оправданием, правда малоубедительным, было предположение о том, что атомы в рассматриваемой молекуле нейтральны. В противном случае не приходится надеяться на получение сколько-нибудь достоверных сведений. [47]
Лоран пришел уже к строгому разграничению этих понятий и указал на то, что если мы возьмем для сравнения сложные тела, то в сущности имеем здесь дело не с атомами, но со сравнимыми величинами или частичными количествами. Лоран ясно выставил, во-первых, закон четных чисел в составе частиц и, во-вторых, закон, объемов. [48]
Таким образом, потери напряжения при переходе от фронтальной к тыльной схеме не ограничиваются, как это можно было бы предположить, омическими потерями на сопротивлении электрода как проводящей неактивной диафрагмы-при значительных нагрузках в области больших поляризаций эти потери напряжения превосходят чисто омические, причем на сравнимые величины. [50]
Что касается времен полуобмена, то на эту величину оказывает влияние, с одной стороны, значение D ионов, с другой - толщина поверхностного сорбирующего слоя. Сравнимая величина времени полуобмена для ионита Дауэкс 50x4, очевидно, также связана с тем, что она характеризует сорбцию в хорошо проницаемый поверхностный слой зерна, составляющий вследствие особенностей сферической геометрии зерна большую часть его объема, несмотря на малую толщину такого слоя. [51]
Если известен выход одного продукта деления, по отношению к нему могут быть определены выходы остальных измерением Ср, &. Для получения сравнимых величин k & необходима точная экстраполяция кривых поглощения Р - частиц двух веществ к нулевой толщине поглотителя. [52]