Критический размер - зародыш
Cтраница 3
Дополнительный член 2а060у является постоянным и не оказывает влияния на критические размеры зародыша [ см. уравнения ( 66) и ( 67) ] Однако он вызывает изменение свободной энтальпии образования критического зародыша [ ср. [31]
Например, усиление связи адсорбированных атомов с подложкой приводит к уменьшению критических размеров зародышей и увеличению частоты ( зародышеобразования, поэтому в условиях последовательного осаждения слоев меди на подложках ( слои хрома) с более дисперсной структурой и наличия сильной адгезии ( характерной для пары Си-Сг) могут в значительной мере замедляться процессы роста кристаллитов по сравнению с пленками, осажденными на нейтральных подложках. Образующиеся на обеих межфазных поверхностях раздела сетки дислокаций [129, 130] способны ограничивать подвижность границ кристаллитов при конденсации и последующей термообработке многослойных композиций. [32]
Размер частиц гк, выше которого свободная энергия системы уменьшается, называют критическим размером зародыша. [33]
 |
Изменение свободной анергии металла при образовании зародышей кристаллов в зависимости от их размера и степени переохлаждения. [34] |
Минимальный размер зародыша RKl способный к росту при данных температурных условиях, называется критическим размером зародыша, или равновесным зародышем. [35]
Минимальный размер зародыша, способного при данной температуре стать устойчивым центром кристаллизации, называется критическим размером зародыша. Следовательно, чем больше скорость охлаждения ( степень переохлаждения), тем все более и более мелкие вновь возникающие зародыши станут устойчивыми центрами кристаллизации. [36]
Минимальный размер зародыша RK, способного к росту при данных температурных условиях, называется критическим размером зародыша, а сам зародыш критическим, или равновесным. [37]
Отсюда следует, что облегчение начала кристаллизации при увеличении пересыщения связано с тем, что критические размеры зародыша, а следовательно, и работа, необходимая для его создания, уменьшаются по мере увеличения пересыщения, а вероятность его возникновения увеличивается. [38]
В тех случаях, когда новая фаза термодинамически более устойчива, чем старая, существует некоторый критический размер зародышей, могущих участвовать в образовании новой фазы. Зародыши меньшего размера, чем критический, имеют тенденцию к исчезновению. [39]
 |
Скорость образования зародышей в зависимости от пересыщении раствора. [40] |
Вероятность образования зародышей возрастает с повышением температуры вследствие ее влияния на свойства жидкой фазы и уменьшения критического размера зародышей. [41]
С ростом температуры увеличивается скорость образования зародышей, что объясняется, в первую очередь, уменьшением критического размера зародыша и, следовательно, увеличением вероятности образования ассоциатов критического размера. Кроме того, с повышением температуры уменьшается удельная поверхностная энергия образования кристаллов, а также уменьшается гидратация ионов ( в случае кристаллизации из водных растворов), что облегчает их объединение в зародыши. [42]
С увеличением степени переохлаждения поверхностное натяжение изменяется незначительно, a AGy быстро повышается, а следовательно, критический размер зародыша убывает и появляется больше зародышей, способных к росту. В этом легко убедиться, если подсчитать критический размер зародыша, например железа, при разных степенях переохлаждения, например: ATi 10 К и ДГ2 100 К. [43]
Из уравнения (11.3) видно, что с уменьшением межфазного натяжения ( ут ж) и увеличением степени переохлаждения критический размер зародыша уменьшается. [44]
Скорость заполнения слоя на поверхности Vgc зависит от ДГ, как это видно из уравнения ( 62а); критический размер зародыша а, согласно уравнению ( 66), пропорционален 1 / ЛГ. Можно ожидать, что при соответствующих условиях кристаллизация в процессе полимеризации из газовой фазы или из раствора мономера может протекать подобным образом. [45]
Страницы: 1 2 3 4