Cтраница 2
Для решения задачи начальными являются сведения о соединениях элементов, ограничениях, накладываемых технологией, геометрических размерах кристалла ( платы), расположении свободных позиций для размещения элементов и внешних контактов, числе и размещении контактов элементов, принадлежности контактов к равнопотенциальной цепи. [16]
Для решения задачи начальными являются сведения о соединениях элементов; об ограничениях, накладываемых технологией; о геометрических размерах кристалла ( платы); о расположении свободных позиций для размещения элементов и внешних контактов; о числе и размещении контактов элементов; о принадлежности контактов к равнопотенциалыюй цепи. [17]
Появление вакуумных выключателей относится к концу 60 - х годов, когда были отработаны промышленная технология получения высокого вакуума и способы его сохранения в течение длительного периода. Размещение контактов в вакууме обеспечивает малые потери энергии в контактах, равномерный износ контактных поверхностей, малое время отключения контактов, высокую крутизну нарастания электрической прочности межконтактного зазора после коммутации. Горение дуги происходит в парах металла электродов. Время переноса заряженных частиц весьма мало ( 0 1 - 0 7 мкс), что делает возможным гашение дуги за 1 мкс. Электрическая прочность вакуума превышает 40 - Ю3 В / мм. Минимальный отключаемый ток ( ток среза), зависящий от материала контактов, составляет 0 5 А при выполнении их из висмута и 50 А - из вольфрама. [18]
![]() |
Размыкание контактов в воздухе. [19] |
При конструировании щелевых камер для гашения дуги необходимо обращать серьезное внимание на обеспечение условий вхождения дуги в узкую щель. В месте образования дуги для размещения контактов щель делается широкой. Переход от широкой части щели к узкой должен быть по возможности плавным, так как резкие переходы создают значительные сопротивления вхождению дуги. Всякая задержка в движении дуги приводит к сильному нагреву стенок камеры, газообразованию и еще большему торможению движения. Беспрепятственное вхождение дуги в узкую часть щели является одним из основных условий успешной работы камер такого типа. [20]
Магнитная система поворотного типа имеет Ш - образную форму и повернута вдоль направления рычага и мостиков контактов. Контактная система поворотного типа с размещением контактов между осью вращения подвижной системы и якорем 4 электромагнита расположена поперек направления рычага и мостика контактов. [21]
![]() |
Зависимость числа внешних соединений N от числа ИС ( пк для типового элемента замены ( а я панели ( б ЕС ЭВМ. [22] |
Это отношение справедливо только для логических узлов; число внешних выводов устройств памяти, имеющих регулярную структуру, меньше. Можно несколько уменьшить длину стороны платы, предназначенной для размещения контактов внешних связей, размещая их в несколько рядов ( смещая контакты в рядах на определенный шаг), но при большом числе контактов часто это не позволяет расположить их на одной стороне и приходится занимать вторую ( противоположную) сторону. В этом случае стороны, не занятые контактами, целесообразно делать короче, чтобы сократить время распространения сигнала. [23]
![]() |
Транзистор в интегральной микросхеме. а - топология. б - поперечное сечение. [24] |
Особенность транзисторов в интегральных микросхемах связана с их планарной конструкцией. Все контакты к основным областям транзистора, в том числе и контакт к коллектору, располагают на одной плоскости. Такое размещение коллекторного контакта приводит к увеличению распределенного сопротивления тела коллектора по сравнению с сопротивлением тела коллектора дискретного транзистора, в котором коллекторный контакт расположен снизу. Вследствие образования добавочного последовательного с коллектором сопротивления увеличивается сопротивление насыщения прибора. [25]
Во избежание большого количества шунтировок со стороны положительного полюса первую группу контактов присоединяем к отрицательному полюсу. Действительно, переменная а в структурной формуле встречается 3 раза. Следовательно, при размещении контакта а у положительного полюса, с его стороны придется шунтировать всего три реагирующих органа. [26]