Размещение - ячейка
Cтраница 2
Идеология САПР топологии МДП-БИС ячеечного типа, построенных из библиотечных типовых модулей, оказывается аналогичной рассмотренной выше САПР. На первом этапе производятся компоновка БИС и покрытие ее блоков модулями из библиотеки. Затем выполняются размещение ячеек БИС на коммутационных полях кристалла и трассировка соединений между ячейками с использованием двух слоев коммутации: диффузии и металлизации. [16]
Под контрольные ячейки каждой следующей зоны занимается три последние информационные ячейки предыдущей зоны. Содержимое ячеек на время чтения следующей зоны запоминается в трех рабочих ячейках программы. После чтения зоны содержимое этих ячеек восстанавливается. На рис. 6.7 показано размещение контрольных ячеек, и информационной части четырех зон читается за одно обращение к программе ВМЛ. [17]
Еще более интересным представляется подход фирмы ZETEX к проектированию и конвертации аналоговых средств обработки. Выпускаемое фирмой ZETEX семейство ПАИС TRAC ( Totally Re-configurable Analog Circuit) относится к семейству кристаллов с настраиваемой структурой отдельных аналоговых ячеек. Образование требуемой аналоговой схемы производится путем внешней коммутации, обычно выполняемой на печатной плате. Подобная организация соединения ячеек между собой снимает проблему разработки фирмой специального САПР, решающего вопросы размещения ячеек и трассировки межсоединений. Функции, выполняемые ячейками, и конфигурация межсоединений кристалла определяются топологией двух слоев металлизации. [18]
 |
Схема расположе - В ЭТОМ СЛУЧае fb легкогО. [19] |
В то же время указанное явление объясняет одну из причин дисперсии анизотропии магнитной пленки. Для ослабления влияния угла осаждения атомов на свойства магнитных пленок и уменьшения дисперсии анизотропии размеры подложки следует ограничивать, а расстояние испаритель - подложка увеличивать. Применяют подложки со стороной не более 70 мм. Увеличение емкости магнитных матриц возможно, следовательно, за счет уменьшения размеров элементов и повышения плотно-сти размещения ячеек. [20]
Условие (5.2) очевидно и не требует пояснений, условия (5.3) - (5.6), (5.8), (5.9) выражают ограничения по использованию соответствующих ресурсов, а также грузовых фронтов и грузополучателей; условие (5.7) уточняет фактическое использование имеющихся приоритетов. Неравенство (5.10) требует соответствия необходимой и имеющейся в наличии перерабатывающей способности грузовых пунктов. Подчеркнем, что перечисленными параметрами управления не ограничивается их число. Например, при планировании рейса стеллажного крана-штабелера - комплектовщика в качестве своеобразного обобщенного параметра выступает количество и размещение ячеек стеллажей, при обслуживании которых обеспечивается минимум времени рабочего цикла или суммарный пробег складской машины. [21]
 |
Однотранзисторная ( а и трехтранзисторная ( б динамические ячейки на МОП-транзисторах.| Общая структура полупроводникового ЗУ с произвольным доступом к биту. [22] |
Информация в ячейке запоминается путем заряда и разряда паразитной емкости С. Данная однотранзисторная ячейка является динамическим элементом памяти. Поэтому в полупроводниковых ЗУ, построенных на основе таких элементов памяти, для сохранения информации необходимо периодически восстанавливать заряды емкостей. Операция подзарядки конденсаторов в динамических полупроводниковых ЗУ для компенсации утечки заряда называется регенерацией. При записи данных емкость С заряжается до напряжения, близкого к напряжению на шине данных, как и в однотранзисторной ячейке. Динамические запоминающие МОП-ячейки используются при создании ЗУ с минимальной стоимостью хранения одного бита информации и высокой плотностью размещения ячеек на подложке. [23]
Страницы: 1 2