Разность - заселенность
Cтраница 3
Здесь xi - квадратурная компонента поляризации атома, х - разность заселенностей атомных уровней, а, Ъ 0 - скорости поперечной и продольной релаксации. Переменная v линейно зависит от регулируемой амплитуды и является управлением. Более точно, v ( t) ( d, E () ( t)) / h - это частота Раби, d - матричный элемент дипольного момента, h - постоянная Планка. [31]
 |
Схема расщепления энергетических уровней электрона ( а и протона. [32] |
При поглощении энергии нарушается термодинамическое рав новесие в системе спинов, разность заселенностей уровней умень шается. [33]
 |
Собственные состояния слабо связанных систем АХ ( а и АМХ ( б с соответствующей нумерацией, принятой в гл. 2, 4 н 8. [34] |
Следует заметить, что при малых углах поворота 0 интенсивность линии пропорциональна разности заселенностей уровней, между которыми происходит переход. По мере приближения / 3 к тг / 2 все большее влияние на интенсивность оказывает разность населенностей уровней перехода, параллельного рассматриваемому. [35]
Из формулы (1.20) следует, что с увеличением вероятности излуча-тельного перехода W разность заселенности уровней уменьшается. При W W () ( что равнозначно щ1Н1Тг 1) разность заселен-ностей уровней стремится к нулю. При этом согласно (1.23) интегральная и максимальная поглощаемые мощности стремятся к предельным значениям. Этот эффект называют насыщением. [36]
 |
Последовательность 1ЫЕРТ для системы АХ. [37] |
Исходная намагниченность ядра I - При воздействии иа систему последовательностей 8Р1 и ШЕРТ перенесенная разность заселенностей накладывается на уже существующую разность по переходам ядра I. Во многих применениях переноса поляризации такое влияние исходной намагниченности переходов ядра I оказывается нежелательным, поэтому требуется принимать какие-то меры для его исключения. [38]
 |
Схема, иллюстрирующая установление разности заселенностей уровней в сшнг-системе ( а, взаимодействующей с решеткой ( б. [39] |
Так как вероятность обнаружить электрон на верхнем или нижнем уровне одинакова, то разность заселенности зеемановских уровней п N ( -) - JV () может быть только результатом внешнего воздействия на спин электрона. [40]
Величина 7 1 называется временем спин-решеточной релаксации; она характеризует время, за которое разность заселенностей уровней относительно равновесной изменяется в е раз. [41]
 |
Зависимость насыщенной инверсии d ( ш от частоты атомного перехода ш. сох - частота поля, d0 - ненасыщенная инверсия. [42] |
Для простоты опустим индекс ( х и рассмотрим рис. 4.11, где представлена зависимость разности заселенностей d от со. Максимум этой кривой лежит на той частоте атомного перехода со, которая совпадает с частотой сох рассматриваемой лазерной моды. Полуширина этой кривой дается величиной у. Таким образом, получаем сплошную кривую, изображенную на d0 рис. 4.11, которая обнаруживает минимум инверсии. Это означает, что в результате лазерной генерации вблизи резонанса со со инверсия, понижается, или, другими словами, в линии образуется провал. [43]
Уже отмечалось, что резонансное поглощение можно обнаружить только в том случае, если существует разность заселенностей спиновых уровней. Обсудим это положение несколько более подробно. Поскольку аргументация совершенно одинакова для электронных и для ядерных спинов, мы рассмотрим энергетические уровни только ядерных спинов. [44]
 |
Схема эксперимента по подавлению пиков с помощью предварительного насыщения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4