Обратная разность
Cтраница 3
Так как уравнение метода Писмана и Рэчфорда ( 1955) - разновидность аппроксимации Кранка - Николсона, по-видимому, можно исходить непосредственно из аппроксимации Кранка - Николсона, а не из аппроксимации обратной разностью. [31]
А - определитель графа, соответствующего исследуемой системе; Pk - прямые пути, Л - соответствующие им миноры; индекс a означает исключение ветви, содержащей варьируемый параметр a; F - обратная разность, вычисленная в этой ветви; F - нулевая обратная разность. Для широкого класса структур модели, соответствующие логарифмич. [33]
А - определитель графа, соответствующего исследуемой системе; Р - - прямые пути, Afc - соответствующие им миноры; индекс а означает исключение ветви, содержащей варьируемый параметр a; F - обратная разность, вычисленная в этой ветви; F - нулевая обратная разность. Для широкого класса структур модели, соответствующие логарифмич. [35]
При выборе лучшего из двух вариантов можно использовать не только метод приведенных затрат, но и прямое сравнение по коэффициенту сравнительной эффективности, под которым понимают отношение разности ( по двум вариантам) себестоимости годового объема продукции к обратной разности капитальных вложений. [36]
А - определитель графа, соответствующего исследуемой системе; Pk - прямые пути, Л - соответствующие им миноры; индекс a означает исключение ветви, содержащей варьируемый параметр a; F - обратная разность, вычисленная в этой ветви; F - нулевая обратная разность. Для широкого класса структур модели, соответствующие логарифмич. [37]
А - определитель графа, соответствующего исследуемой системе; Р - - прямые пути, Afc - соответствующие им миноры; индекс а означает исключение ветви, содержащей варьируемый параметр a; F - обратная разность, вычисленная в этой ветви; F - нулевая обратная разность. Для широкого класса структур модели, соответствующие логарифмич. [38]
Какую обратную разность потенциалов ( задерживающее напряжение) нужно приложить к фотоэлементу ( к фотокатоду подключается плюс, к аноду-коллектору - минус источника напряжения), чтобы задержать электроны, испускаемые литием под действием ультрафиолетовых лучей длиной волны 200 нм. [39]
Какую обратную разность потенциалов нужно приложить к фотоэлементу, чтобы задержать электроны, испускаемые рубидием под действием ультрафиолетовых лучей с длиной волны 100 нм. [40]
Он может быть выражен в виде произведения частичных обратных разностей для всех узлов графа, подсчитанных при игнорировании узлов более высоких номеров. Поскольку каждая частичная обратная разность D K по структуре такова, что состоит из 1 минус контурная передача к-узла, то определитель графа А равен 1 плюс алгебраическая сумма произведений передач различных ветвей. [41]
 |
Определение обратной разности по одноконтурному сигнальному графу ХТС.| Определение нулевой обратной разности с помощью сигнального графа. [42] |
ХТС, но также служит основой для анализа устойчивости системы. Рассмотрим понятие нулевой обратной разности. [43]
Он может быть выражен в виде произведения частичных обратных разностей для всех узлов графа, подсчитанных при игнорировании узлов более высоких номеров. Так как каждая частичная обратная разность D & по структуре состоит из 1 минус контурная передача k - узла, то определитель графа А равен 1 плюс алгебраическая сумма произведений передач различных ветвей. [44]
В теории обратной связи эта величина играет очень важную роль, так как она является не только мерой уменьшения чувствительности системы, но и мерой уменьшения коэффициента усиления. В более широком смысле обратная разность служит мерой изменения импеданса, вызываемого введением обратной связи, а также мерой ослабления влияния паразитных сигналов, поступающих в систему в различных ее точках, помимо основного входа. [45]
Страницы: 1 2 3 4