Cтраница 2
Таким образом, если такую пластину поместить в область пространства, где существует магнитное поле неизвестной величины, то при постоянном токе плотности / через пластину, зная его размеры и постоянную Холла R, можно, измерив холловскую разность потенциалов, на основании соотношения ( 41) определить величину индукции магнитного поля В. [16]
Кремниевая пластина щириной b 2см помещена в однородное магнитное поле с индукцией В 0 1Тл перпендикулярно линиям магнитной индукции. Холловская разность потенциалов [ / х 0 368 В возникает на гранях пластины при протекании тока с плотностью j 0 5 А / мм2 вдоль пластины. [17]
Кремниевая пластина щириной b 2см помещена в однородное магнитное поле с индукцией В - 0 1Тл перпендикулярно линиям магнитной индукции. Холловская разность потенциалов С / х 0 368 В возникает на гранях пластины при протекании тока с плотностью j 0 5 А / мм2 вдоль пластины. [18]
Установка ля измерения электросопротивления и эффекта Холла. [19] |
Падение потенциала вдоль исследуемого образца определяют между любыми двумя зондами, расположенными на одной и той же грани кристалла. Холловскую разность потенциалов снимают с любой из двух пар зондов, расположенных на противоположных гранях кристалла. [20]
Внешний вид пленочного датчика холл-эффекта. [21] |
На этот слой наносятся четыре металлических электрода, из которых два - токовые. Другая пара электродов предназначена для снятия холловской разности потенциалов. К электродам подводятся тонкие проводники. Провода от холловских электродов датчика идут к переносному потенциометру. Чувствительность датчика колеблется в пределах 20 - 100 мкв / эрстед. [22]
Определив из опытных данных коэффициент Холла Rx, можно вычислить концентрацию носителей заряда в проводнике. Нетрудно видеть ( см. рис. 5.10), что знак холловской разности потенциалов зависит от знака носителей заряда в проводнике. [23]
Это справедливо для подавляющего большинства металлов. Однако у некоторых металлов ( бериллия, цинка и др.) проводимость имеет дырочный характер. Знак холловской разности потенциалов для этих металлов соответствует положительным носителям тока. [24]
Эффект Холла проявляется и в проводниках и в полупроводниках. Так как проводники имеют ге. А / м3, а в полупроводниках п на несколько порядков ( до 1012) ниже, то холловская разность потенциалов для полупроводников значительно больше. [25]
Холла для образцов с положительными и отрицательными носителями. Направление магнитной силы изменяется на противоположное как при изменении направления движения заряда, так и при изменении его знака. Таким образом, определив знак холловской разности потенциалов, можно установить знак носителей тока. [26]
Обратимся к рис. 15.6. Если через образен в указанном направлении проходит ток с силой /, а перпендикулярно ему действует магнитное поле напряженностью И, то на противоположных сторонах оГфазца возникает разность потенциалов, направление которой перпендикулярно направлению тока и магнитного поля. Возникает это потому, что магнитное поле вынуждает электроны отклоняться от прямолинейного пути и ь результате одна сторона проводника обогащается электронами по сравнению с противоположном стороной. Равновесие наступает тогда, когда сила, отклоняющая электроны от прямолинейного пути, уравновешивается холловской разностью потенциалов, действующей в противоположном направлении. [27]
Эффект Холла может служить удобным средством для измерения магнитных полей. Для этих целей пользуются Ge, InSb и HgSe. Последнее соединение дает большую точность и достоверность измерения. Эффект Холла преобразовывает с помощью магнитного поля электроэнергию первичного тока в энергию тока, вызываемого холловской разностью потенциалов. В таких полупроводниках, как InSb мощность хол ловского тока достигает 20 / 0 мощности основного. [28]
Холла для образцов с положительными и отрицательными носителями. Направление магнитной силы изменяется на противоположное как при изменении направления движения заряда, так и при изменении его знака. Следовательно, при одинаковом направлении тока и поля магнитная сила, действующая на положительные и отрицательные носители, имеет одинаковое направление. Таким образом, определив знак холловской разности потенциалов, можно установить знак носителей тока. Любопытно, что у некоторых металлов знак Uн соответствует положительным носителям тока. Объяснение этой аномалии дает квантовая теория. [29]