Большая разность - потенциал
Cтраница 2
Действительно, большей разности потенциалов отвечает иногда не большая, а меньшая скорость реакции. Так, например, реакция окисления водорода кислородом, характеризующаяся разностью потенциалов 1 23 в, протекает при комнатной температуре ( к которой относятся данные приложения VII) с неизмеримо малой скоростью. [16]
 |
Строение тлеющего разряда ( а и распределение яркости вдоль трубки ( б. [17] |
Под действием большой разности потенциалов, возникающей у катода, ионы получают значительное ускорение и ударом о катод освобождают с его поверхности новые электроны, которые в свою очередь становятся источниками ионизации. Таким образом, устанавливается не зависящий от внешних ионизаторов процесс, сопровождающийся свечением. Такой разряд именуется тлеющим разрядом. [18]
Вследствие такой большой разности потенциалов этих металлов при наличии пор и трещин в покрытии возникают активно действующие коррозионные элементы. Анодами этих элементов являются обнаженные участки основного металла ( стали), а катодом - вся остальная поверхность образца, покрытая медью. [19]
При наложении достаточно большой разности потенциалов между двумя участками раствора частицы в нем приходят в движение: положительно заряженные перемещаются к катоду, а отрицательно заряженные - к аноду. [20]
Возможно также возникновение большой разности потенциалов и электрических разрядов между отдельными предметами внутри сооружений. Такие разряды могут явиться причиной пожаров и поражения людей электрическим током. [21]
Опыт показывает, что большей разности потенциалов отвечает иногда не большая, а меньшая скорость реакции. Так, реакция окисления водорода кислородом, характеризующаяся разностью потенциалов 1 23 в, протекает при комнатной температуре ( к которой относятся данные табл. 20) с неизмеримо малой скоростью. [22]
 |
Схема изменения потенциала в растворе в случае двойного слоя, обусловленного адсорбцией ионов или полярных молекул. [23] |
Если приложить к электродам достаточно большую разность потенциалов, то жидкость в тонком капилляре 1, радиус которого соизмерим с толщиной диффузной части двойного слоя, будет увлекаться в сторону электрода, имеющего противоположный заряд. В слу-чае воды в стеклянном капилляре заряд жидкости положителен. [24]
 |
Схема изменения в растворе в случае двойного слоя, обусловленного адсорбцией ионов или полярных молекул. [25] |
Если приложить к электродам достаточно большую разность потенциалов, то жидкость в тонком капилляре 1, радиус которого соизмерим с толщиной диффузной части двойного слоя, будет увлекаться в сторону электрода, имеющего противоположный заряд. В случае воды в стеклянном капилляре заряд жидкости положителен. Поэтому вода в капилляре движется в сторону отрицательного электрода. [26]
 |
Схема. изменения потенциала в растворе в случае двойного слоя, обусловленного адсорбцией ионов или полярных молекул. [27] |
Если приложить к электродам достаточно большую разность потенциалов, то жидкость в тонком капилляре /, радиус которого соизмерим с толщиной диффузной части двойного слоя, будет увлекаться в сторону электрода, имеющего противоположный заряд. В случае воды в стеклянном капилляре заряд жидкости положителен. Поэтому вода в капилляре движется в сторону отрицательного электрода. [28]
Между двумя электродами счетчика поддерживается большая разность потенциалов; ионы, образуемые поступающим излучением, сильно ускоряются, и в свою очередь ионизируют газ, содержащийся в трубке. Так создаются импульсы, которые можно сосчитать. [29]
Если транзистор закрыт, то сравнительно большая разность потенциалов между коллектором и базой, которая почти полностью прикладывается к диоду, оказывается достаточной для его запирания. И только тогда, когда транзистор отпирается и потенциал его коллектора, а следовательно, и потенциал анода Д, повышаясь, достигает определенного уровня, диод отпирается и вступает в действие обратная связь, При этом часть тока коллектора через диод ответвляется во входную цепь транзистора и ток базы уменьшается. Таким образом, уменьшается поток носителей в базу, а поэтому исключается накопление избыточных носителей в базе и предотвращается насыщение транзистора. Открытый транзистор работает в активной области, но из-за отрицательной обратной связи усиление сигналов заметно уменьшается, что способствует повышению помехоустойчивости триггера. Обратная связь приводит и к уменьшению выходного сопротивления ( так как это обратная связь по напряжению), что благоприятно отражается на нагрузочной способности триггера. [30]
Страницы: 1 2 3 4