Полная разность - потенциал
Cтраница 2
Эквипотенциальные линии и линии движения тока в электрической системе соответствуют эквипотенциальным линиям и линиям тока течения для пористой среды, а величина единицы удельного сопротивления электрической модели соответствует обратной величине расхода для единицы вязкости жидкости, единицы проницаемости среды и единицы полной разности потенциала. Возможно также, что наиболее гибким типом модели является электрическая модель, в которой пористая среда замещена электролитом, а распределение потенциала представлено зондами. [16]
 |
Расположение электродов сравнения ( 1, 2 и 3 в растворе между цилиндрическими электродами. [17] |
Омическая часть пропорциональна току и исчезает сразу же после его выключения, что дает возможность различить эти составляющие. Полная разность потенциалов между двумя электродами сравнения измеряется при протекании тока. [18]
С другой стороны, емкость равна отношению заряда на пластинах Q к полной разности потенциалов между ними. Как следует из принципа действия р - п перехода, полная разность потенциалов на переходе равна p0 t /, где U - внешнее напряжение. [19]
 |
Изменение формы пиков фи-лически адсорбированных газов с величиной приложенного поля. [20] |
Как видно из этого рисунка, при низких полях пики являются резкими. При промежуточных полях со стороны низких энергий образуется хвост, в то время как при очень высоких полях кривая очень растянута по направлению оси абсцисс и снижается до нуля при энергии меньшей, чем энергия, соответствующая первоначальному пику. Поскольку максимальная энергия, которой может обладать ион, равна полной разности потенциалов между острием и масс-спектрометром, уменьшение соответствует образованию ионов впереди острия. [21]
 |
Схема строения двойного электрического слоя. [22] |
Согласно теории Гельмгольца - - Перрена [21, 52-54], двойной слой на границе твердой фазы и жидкости представляет собой плоский конденсатор. Одна обкладка связана непосредственно с твердой фазой, а другая расположена в жидкости. По толщине слоя напряженность электрического поля постоянна, а потенциал изменяется на величину полной разности потенциалов между электродом и электролитом. [23]
Эта формула справедлива для конденсатора любой формы. В этом можно убедиться, рассматривая работу, которую необходимо совершить для того, чтобы зарядить конденсатор, перенося заряд маленькими порциями с одной обкладки на другую. При вычислении этой работы следует учесть, что первая порция заряда Д переносится через нулевую разность потенциалов, последняя - через полную разность потенциалов /, а в каждый момент разность потенциалов пропорциональна уже перенесенному заряду. [24]
На рис. 11 представлена зависимость вычисленной по уравнению ( 26) емкости диффузного слоя 1: 1-электролита в воде при 25 С от 92 и концентрации электролита. Для этих кривых характерна резкая зависимость от концентрации и наличие острого минимума при пнз. В первоначальной трактовке Гун и Чэпмен считали, что диффузный слой ионов должен простираться до поверхности металла, так что Ф2 следовало бы отождествить с qM - полной разностью потенциалов на границе раздела. Однако в этом случае измеряемая емкость должна совпадать с емкостью диффузного слоя. Различие между кривыми проистекает вследствие пренебрежения конечными раз - Мерами ионов ( и дискретной структурой диэлектрика), которые ограничивают сближение ионов с электродом. Этот вопрос в основных чертах был исследован Гун [11]; количественное рассмотрение было проведено Штерном [4], проанализировавшим также проблему специфической адсорбции ионов. [25]
Если можно пренебречь специфической адсорбцией ионов, величина д находится сразу, поскольку в этом случае она совпадает с полным зарядом двойного слоя со стороны раствора q, который, согласно уравнению ( 14), равен заряду металла qm с обратным знаком. Из рисунка очевидно, что максимальное значение р2 не превышает приблизительно 0 2 В, достигаемых лишь в весьма разбавленном ( 0 001 М) растворе. В 1 М растворе q2 едва достигает 0 05 В в пределах возможной поляризации. Сравнив эту величину с полной разностью потенциалов в двойном слое, составляющей 1 В или более, можно понять, почему несовершенства теории диффузного слоя не отражаются на экспериментальных данных. [26]
Страницы: 1 2